一种高可靠性的终端结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110788246.X

申请日：

2021-07-13

公开(公告)号：

CN113594227A

公开(公告)日：

2021-11-02

发明(设计)人：

张永利王新强王丕龙刘文

申请人：

申请人地址：

266100 山东省青岛市高新区宝源路780号41号楼103、104

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2978 H01L29739 H01L21336 H01L21331

代理机构：

北京天盾知识产权代理有限公司 11421

代理人：

郑艳春

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-02	公开	公开
2022-01-11	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L 29/06 申请公布日:20211102

共 50 条

[1]

一种高可靠性的终端结构 [P].

张永利 ;

王新强 ;

王丕龙 ;

刘文 .

中国专利 :CN215771157U ,2022-02-08

[2]

一种高可靠性IGBT器件终端结构及其制造方法 [P].

丁磊 ;

滕支刚 .

中国专利 :CN118448449A ,2024-08-06

[3]

一种高可靠性IGBT器件终端结构及其制造方法 [P].

丁磊 ;

滕支刚 .

中国专利 :CN118448449B ,2024-11-19

[4]

高可靠性屏蔽栅半导体功率器件的终端结构及其制造方法 [P].

丁磊 ;

滕支刚 .

中国专利 :CN118486736A ,2024-08-13

[5]

高可靠性屏蔽栅半导体功率器件的终端结构及其制造方法 [P].

丁磊 ;

滕支刚 .

中国专利 :CN118486736B ,2024-11-19

[6]

一种高可靠性终端结构及制备方法 [P].

李娜 ;

王万 ;

柴晨凯 .

中国专利 :CN118538606A ,2024-08-23

[7]

一种新型高可靠性IGBT及其制造方法 [P].

赵家宽 ;

黄传伟 ;

李健 ;

吕文生 ;

谈益民 .

中国专利 :CN112103181A ,2020-12-18

[8]

高可靠性场限环终端结构 [P].

杨飞 ;

吴凯 ;

张广银 ;

任雨 ;

朱阳军 .

中国专利 :CN217544625U ,2022-10-04

[9]

一种高可靠性的SIC-MOSFET终端结构 [P].

王丕龙 ;

王新强 ;

谭文涛 ;

杨玉珍 .

中国专利 :CN222190737U ,2024-12-17

[10]

具有高可靠性的分离栅VDMOS器件及其制造方法 [P].

王卓 ;

祖健 ;

朱旭晗 ;

章文通 ;

方冬 ;

乔明 ;

李肇基 ;

张波 .

中国专利 :CN111969051B ,2020-11-20

← 1 2 3 4 5 →