多結晶レジスタントスターチの製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20230551738

申请日：

2022-12-20

公开(公告)号：

JP2024541153A

公开(公告)日：

2024-11-08

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

A23L29/219

IPC分类号：

A23L33/10 A23L33/21 C08B30/00 C12P19/16

代理机构：

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共 50 条

[1]

スポンジチタン及びスポンジチタンの製造方法並びにチタンインゴット又はチタン合金インゴットの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018179993A1 ,2019-04-04

[2]

薄膜トランジスタ、および薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

IMAMURA CHIHIRO ;

ITO MANABU ;

TANAKA KOICHI .

日本专利 :JP2022121355A ,2022-08-19

[3]

薄膜トランジスタ、および薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6897897B1 ,2021-07-07

[4]

エチレンアセタートの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2023531171A ,2023-07-21

[5]

チタンキレート剤の製造方法およびチタンキレート剤[ja] [P].

日本专利 :JP2025014265A ,2025-01-30

[6]

結晶被覆ＢＮＮＴシンチレータ[ja] [P].

日本专利 :JP2023510968A ,2023-03-15

[7]

マスターバッチの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP7071602B1 ,2022-05-19

[8]

チタンの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022082229A ,2022-06-01

[9]

レジスト組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019216118A1 ,2021-05-20

[10]

レジスト組成物精製品の製造方法、レジストパターン形成方法、及びレジスト組成物精製品[ja] [P].

AKIYAMA SATOSHI ;

NOGUCHI TAKUYA ;

NODA KUNIHIRO .

日本专利 :JP2024120591A ,2024-09-05

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