垂直LED芯片结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110691417.7

申请日：

2021-06-22

公开(公告)号：

CN113284990B

公开(公告)日：

2024-10-25

发明(设计)人：

郝茂盛张楠陈朋袁根如马艳红

申请人：

上海芯元基半导体科技有限公司

申请人地址：

201210 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祥科路111号3号楼507-2室

IPC主分类号：

H01L33/00

IPC分类号：

H01L33/44 H01L33/38

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

卢炳琼

法律状态：

授权

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-25	授权	授权

共 50 条

[1]

垂直LED芯片结构及其制备方法 [P].

魏天使 ;

童玲 ;

徐慧文 ;

李起鸣 .

中国专利 :CN107026220A ,2017-08-08

[2]

垂直LED芯片结构及其制备方法 [P].

郝茂盛 ;

张楠 ;

陈朋 ;

袁根如 ;

马艳红 .

中国专利 :CN113284990A ,2021-08-20

[3]

垂直LED芯片及其制备方法 [P].

吴启航 ;

梁根豪 ;

陈垚 ;

曹广亮 ;

徐洲 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN119092617B ,2025-09-16

[4]

垂直LED芯片及其制备方法 [P].

吴启航 ;

梁根豪 ;

陈垚 ;

曹广亮 ;

徐洲 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN119092617A ,2024-12-06

[5]

垂直LED芯片结构及其制备方法 [P].

朱酉良 .

中国专利 :CN109728136A ,2019-05-07

[6]

垂直结构LED芯片及其制备方法 [P].

封波 .

中国专利 :CN109768137B ,2019-05-17

[7]

一种垂直结构LED芯片及其制备方法 [P].

李国强 .

中国专利 :CN115332419A ,2022-11-11

[8]

一种垂直结构LED芯片及其制备方法 [P].

李国强 .

中国专利 :CN115332419B ,2025-10-03

[9]

一种垂直LED芯片结构及其制备方法 [P].

曹志芳 ;

沈龙梅 ;

吴金凤 ;

单立英 ;

肖成峰 ;

郑兆河 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN109873064A ,2019-06-11

[10]

一种垂直结构LED芯片及其制备方法 [P].

李国强 .

中国专利 :CN114784167A ,2022-07-22

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