一种集成电路用铬金属蚀刻液及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211470220.1

申请日：

2022-11-23

公开(公告)号：

CN116121755B

公开(公告)日：

2024-11-15

发明(设计)人：

戈烨铭何珂汤晓春

申请人：

江苏中德电子材料科技有限公司

申请人地址：

214400 江苏省无锡市江阴市高新区科达路33号

IPC主分类号：

C23F1/26

IPC分类号：

H01L21/3213

代理机构：

江阴市轻舟专利代理事务所(普通合伙) 32380

代理人：

江霞

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-15	授权	授权

共 50 条

[1]

一种集成电路用的硅蚀刻液及其制备方法 [P].

戈士勇 ;

何珂 ;

展红峰 .

中国专利 :CN114181703A ,2022-03-15

[2]

一种集成电路用的金属蚀刻液及其制备方法 [P].

戈士勇 ;

何珂 ;

戈烨铭 .

中国专利 :CN114231984A ,2022-03-25

[3]

一种集成电路用铜钛蚀刻液及其制备方法 [P].

何珂 ;

戈烨铭 ;

白雪 .

中国专利 :CN116162932B ,2024-08-23

[4]

一种集成电路用金属碱性蚀刻液及其制备方法 [P].

戈烨铭 ;

何珂 ;

郑武 .

中国专利 :CN116103655B ,2024-06-28

[5]

集成电路用硅、氮化硅蚀刻液 [P].

何珂 ;

戈烨铭 ;

白雪 .

中国专利 :CN118027975A ,2024-05-14

[6]

一种集成电路用低张力高选择性硅蚀刻液及其制备方法 [P].

何珂 ;

戈烨铭 ;

白雪 .

中国专利 :CN116240025B ,2025-06-03

[7]

一种铬蚀刻液及其制备方法 [P].

鄢红军 ;

熊启龙 .

中国专利 :CN106435589A ,2017-02-22

[8]

铬蚀刻液、铬蚀刻液的制备方法及铬蚀刻液的回收方法 [P].

童晨 ;

吴海燕 ;

陈桂红 ;

孙元 ;

韩成强 .

中国专利 :CN116162935B ,2024-08-20

[9]

一种铬金属蚀刻液的制备装置 [P].

刘一平 ;

王亚娟 ;

石金武 ;

何珂 .

中国专利 :CN223082377U ,2025-07-11

[10]

一种集成电路衬底用绝缘陶瓷及其制备方法 [P].

李丹丹 .

中国专利 :CN107382295A ,2017-11-24

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