一种硅基固态纳米孔刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410960497.5

申请日：

2024-07-17

公开(公告)号：

CN118992963A

公开(公告)日：

2024-11-22

发明(设计)人：

陈云蔡楚濠吴文轩侯茂祥张俊杰马莉陈新

申请人：

广东工业大学

申请人地址：

510062 广东省广州市越秀区东风东路729号

IPC主分类号：

B81C1/00

IPC分类号：

B82Y15/00 B82Y40/00

代理机构：

佛山市禾才知识产权代理有限公司 44379

代理人：

刘羽波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广东省广州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):B81C 1/00申请日:20240717
2024-11-22	公开	公开

共 50 条

[1]

一种硅基固态纳米孔及制备方法、硅基固态纳米孔测序仪 [P].

莫晖 ;

张新联 ;

高振兵 ;

尹良超 .

中国专利 :CN111634882B ,2021-04-23

[2]

硅基宽阵列纳米通孔的制造方法及硅基宽阵列纳米通孔 [P].

陈云 ;

吴文轩 ;

蔡楚濠 ;

张子超 ;

侯茂祥 ;

吴恒旭 ;

马莉 ;

陈新 .

中国专利 :CN117658058A ,2024-03-08

[3]

一种深硅通孔刻蚀方法 [P].

黄秋平 ;

许颂临 .

中国专利 :CN103811408B ,2014-05-21

[4]

一种深硅通孔刻蚀方法 [P].

严利均 ;

黄秋平 ;

许颂临 .

中国专利 :CN103730411A ,2014-04-16

[5]

一种深孔硅刻蚀方法 [P].

凯文·皮尔斯 .

中国专利 :CN102398887A ,2012-04-04

[6]

一种深孔硅刻蚀方法 [P].

陶铮 ;

松尾裕史 ;

傅远 ;

许颂临 ;

尹志尧 .

中国专利 :CN103871956A ,2014-06-18

[7]

深硅孔刻蚀方法 [P].

李战强 ;

蒋中伟 .

中国专利 :CN105720003A ,2016-06-29

[8]

一种硅刻蚀方法 [P].

陈长鸿 ;

孙一军 ;

孙颖 ;

王妹芳 ;

孙家宝 ;

刘艳华 ;

刘志 ;

谢石建 .

中国专利 :CN114664648A ,2022-06-24

[9]

一种刻蚀硅通孔的方法 [P].

余东洋 ;

卞祖洋 ;

严利均 .

中国专利 :CN104576506A ,2015-04-29

[10]

一种深硅通孔刻蚀装置及其刻蚀方法 [P].

黄秋平 ;

许颂临 ;

严利均 ;

辛朝焕 .

中国专利 :CN103745945B ,2014-04-23

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