一种半导体晶片表面薄膜厚度实时检测装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411411894.3

申请日：

2024-10-11

公开(公告)号：

CN118910575A

公开(公告)日：

2024-11-08

发明(设计)人：

季中伟

申请人：

无锡展硕科技有限公司

申请人地址：

214000 江苏省无锡市梁溪区会北路26-18

IPC主分类号：

C23C14/54

IPC分类号：

C23C16/52 G01B11/06 H01L21/66

代理机构：

无锡市诺创知识产权代理事务所(普通合伙) 32557

代理人：

毛世燕

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-08	公开	公开
2024-11-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/54申请日:20241011
2025-01-07	授权	授权

共 50 条

[1]

一种半导体晶片表面薄膜厚度实时检测装置 [P].

季中伟 .

中国专利 :CN118910575B ,2025-01-07

[2]

一种半导体晶片厚度检测装置 [P].

彭劲松 ;

万翠凤 ;

郭天宇 ;

张巍 .

中国专利 :CN116460057B ,2025-07-18

[3]

一种半导体晶片厚度检测装置 [P].

安璐 ;

廖齐文 ;

杨世勇 .

中国专利 :CN220818871U ,2024-04-19

[4]

一种半导体晶片厚度检测装置 [P].

葛晋 .

中国专利 :CN221259792U ,2024-07-02

[5]

一种半导体晶片厚度检测装置 [P].

陈炳寺 ;

戴磊 .

中国专利 :CN115064459A ,2022-09-16

[6]

一种半导体晶片厚度检测装置 [P].

陈胜洲 ;

李美琼 ;

陈洲乾 ;

卢邦栋 ;

符俊 .

中国专利 :CN222188272U ,2024-12-17

[7]

一种半导体晶片厚度检测装置 [P].

方丽冷 .

中国专利 :CN221706446U ,2024-09-13

[8]

检测半导体晶片厚度的检测装置 [P].

张硕 ;

柯海丰 .

中国专利 :CN113188501A ,2021-07-30

[9]

一种检测半导体晶片厚度的检测装置 [P].

李彦庆 ;

何锋赟 ;

张海宇 .

中国专利 :CN117781988B ,2024-05-14

[10]

一种检测半导体晶片厚度的检测装置 [P].

李彦庆 ;

何锋赟 ;

张海宇 .

中国专利 :CN117781988A ,2024-03-29

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