含阴离子聚合物促进剂的高分子量GPAM

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380021761.2

申请日：

2023-02-10

公开(公告)号：

CN118922601A

公开(公告)日：

2024-11-08

发明(设计)人：

C·卢 J·陈 H·戈尔兹伯里

申请人：

凯米拉公司

申请人地址：

芬兰赫尔辛基

IPC主分类号：

D21H21/14

IPC分类号：

D21H17/37 D21H17/20 D21H17/34

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

王世娜

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-08	公开	公开
2025-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):D21H 21/14申请日:20230210

共 50 条

[1]

含阴离子多糖促进剂的高分子量GPAM [P].

C·卢 ;

J·陈 .

:CN118922600A ,2024-11-08

[2]

含两性离子单体的高分子量阳离子和阴离子聚合物 [P].

M·J·科菲 ;

S·T·戈沃尼 ;

A·J·贝加拉 ;

R·T·格雷 ;

P·G·默里 .

中国专利 :CN1314716C ,2005-04-06

[3]

高分子量阳离子聚合物的制备 [P].

罗文利 ;

牛亚斌 ;

孙广华 ;

史利军 .

中国专利 :CN1246487A ,2000-03-08

[4]

高分子量聚合物 [P].

帕特里夏·A·比安科尼 ;

斯科特·若雷 .

中国专利 :CN1303132C ,2005-08-17

[5]

高分子量聚合物的聚合方法 [P].

L·P·斯宾塞 ;

J·M·基施纳 .

中国专利 :CN104884483B ,2015-09-02

[6]

高分子量阴离子聚丙烯酰胺 [P].

塞德里克·法维罗 ;

约翰·基弗 ;

尼古拉斯·布瓦斯 ;

凌静 .

中国专利 :CN117946311A ,2024-04-30

[7]

制备高分子量异丁烯聚合物的方法 [P].

M·C·拜尔德 ;

M·J·德雷维特 ;

K·R·库马 .

中国专利 :CN1273498C ,2004-04-07

[8]

高分子量的含两性离子的聚合物 [P].

斯蒂芬·A·查尔斯 ;

维克托·D·皮尔罗斯 ;

迪迪埃·G·贝努瓦 ;

莱恩·A·克里兹比 ;

韦恩·杜 ;

琳达·J·匝迪克 ;

珍妮·M·普莱特 .

中国专利 :CN103492489A ,2014-01-01

[9]

高分子量的含两性离子的聚合物 [P].

斯蒂芬·A·查尔斯 ;

维克托·D·皮尔罗斯 ;

迪迪埃·G·贝努瓦 ;

莱恩·A·克里兹比 ;

韦恩·杜 ;

琳达·J·匝迪克 ;

珍妮·M·普莱特 .

中国专利 :CN106432557A ,2017-02-22

[10]

制备高分子量聚合物的方法 [P].

E·A·S·多尔蒂 ;

M·G·霍洛蒙 ;

R·A·格尔曼 .

中国专利 :CN101155835A ,2008-04-02

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