一种高消光比高速电光调制器芯片

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411266190.1
申请日
2024-09-11
公开(公告)号
CN118778298B
公开(公告)日
2024-12-10
发明(设计)人
李甲 张晨 李科 王磊 李志远
申请人
鹏城实验室
申请人地址
518000 广东省深圳市南山区兴科一街2号
IPC主分类号
G02F1/03
IPC分类号
G02F1/035 G02F1/21
代理机构
深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287
代理人
李俊杰
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种高消光比高速电光调制器芯片 [P]. 
李甲 ;
张晨 ;
李科 ;
王磊 ;
李志远 .
中国专利 :CN118778298A ,2024-10-15
[2]
高速电光调制器 [P]. 
周国瑞 ;
刘青安 ;
蒋一岚 ;
马自强 ;
牛龙飞 ;
苗心向 ;
吕海兵 ;
刘昊 ;
李可欣 ;
周海 ;
袁晓东 .
中国专利 :CN207067573U ,2018-03-02
[3]
高速电光调制器 [P]. 
陈秋水 ;
加里·Y·王 ;
保罗·梅尔曼 ;
凯文·邹 ;
蒋华 ;
张润 ;
赵京 ;
迪恩·塔尼安 ;
王飞凌 .
中国专利 :CN1299472A ,2001-06-13
[4]
一种双环并联行波电极电光调制器芯片 [P]. 
李甲 ;
张晨 ;
李科 ;
王磊 ;
李志远 .
中国专利 :CN118818818B ,2025-01-21
[5]
一种双环并联行波电极电光调制器芯片 [P]. 
李甲 ;
张晨 ;
李科 ;
王磊 ;
李志远 .
中国专利 :CN118818818A ,2024-10-22
[6]
一种高消光比电光强度调制器 [P]. 
杨作运 ;
曾维胜 .
中国专利 :CN111308740A ,2020-06-19
[7]
一种电光调制器、单偏振IQ调制器、双偏振IQ调制器 [P]. 
曹攀 .
中国专利 :CN109946791B ,2019-06-28
[8]
一种具有高消光比的MZI电光调制器 [P]. 
马小霞 .
中国专利 :CN120522913A ,2025-08-22
[9]
一种双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片 [P]. 
李甲 ;
岳夫永 ;
王磊 ;
李志远 .
中国专利 :CN117991526A ,2024-05-07
[10]
高隔离度的多通道高速电光调制器 [P]. 
舒平 ;
华勇 ;
雷成龙 ;
郑帅峰 ;
胡红坤 .
中国专利 :CN109976001A ,2019-07-05