一种具有高消光比的MZI电光调制器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510822066.7

申请日：

2025-06-19

公开(公告)号：

CN120522913A

公开(公告)日：

2025-08-22

发明(设计)人：

马小霞

申请人：

成昱芯联科技（成都）有限公司

申请人地址：

610000 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区新川南五路188号3、4楼

IPC主分类号：

G02F1/03

IPC分类号：

G02F1/035

代理机构：

成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268

代理人：

周永宏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G02F 1/03申请日:20250619
2025-08-22	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高消光比电光强度调制器 [P].

杨作运 ;

曾维胜 .

中国专利 :CN111308740A ,2020-06-19

[2]

一种高消光比高速电光调制器芯片 [P].

李甲 ;

张晨 ;

李科 ;

王磊 ;

李志远 .

中国专利 :CN118778298A ,2024-10-15

[3]

一种高消光比高速电光调制器芯片 [P].

李甲 ;

张晨 ;

李科 ;

王磊 ;

李志远 .

中国专利 :CN118778298B ,2024-12-10

[4]

一种基于分光比可调MMI的高消光比的硅基MZI调制器 [P].

方青 ;

胡鹤鸣 ;

张馨丹 ;

马晓悦 ;

陈华 ;

张志群 .

中国专利 :CN113376871A ,2021-09-10

[5]

一种基于分光比可调MMI的高消光比的硅基MZI调制器 [P].

方青 ;

胡鹤鸣 ;

张馨丹 ;

马晓悦 ;

陈华 ;

张志群 .

中国专利 :CN214846115U ,2021-11-23

[6]

实现开关消光比提高的电光强度调制器及其应用 [P].

李金野 ;

刘建国 ;

戴双兴 ;

李明轩 ;

赵奕儒 .

中国专利 :CN111458948A ,2020-07-28

[7]

一种引入参考光的电光调制器光脉冲整形装置 [P].

吕宏伟 ;

张新立 ;

韦佳天 ;

赵灏 ;

谢征 ;

陈峰 ;

吴国锋 ;

刘志强 ;

覃波 ;

王建军 ;

许党朋 .

中国专利 :CN205880412U ,2017-01-11

[8]

一种实现稳定消光比的电光调制器组件及其方法 [P].

李旭 ;

杨斌 ;

皋魏 ;

席刚 ;

仝芳轩 ;

周正仙 .

中国专利 :CN101650478A ,2010-02-17

[9]

一种具有高偏振消光比的薄膜铌酸锂Y分支调制器 [P].

陈开鑫 ;

王梦柯 .

中国专利 :CN118192003A ,2024-06-14

[10]

一种基于电光调制器的光脉冲整形装置 [P].

赵灏 ;

张新立 ;

韦佳天 ;

吕宏伟 ;

谢征 ;

陈峰 ;

吴国锋 ;

刘志强 ;

覃波 ;

王建军 ;

许党朋 .

中国专利 :CN205880413U ,2017-01-11

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