相变存储器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310600384.X

申请日：

2023-05-25

公开(公告)号：

CN119031825A

公开(公告)日：

2024-11-26

发明(设计)人：

张道书刘晓钰

申请人：

上海集成电路研发中心有限公司

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号

IPC主分类号：

H10N70/00

IPC分类号：

H10N70/20 H10B63/10

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

曹廷廷

法律状态：

公开

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-26	公开	公开
2024-12-13	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 70/00申请日:20230525

共 50 条

[1]

相变存储器及其制备方法 [P].

王玉婵 ;

陈小刚 ;

陈一峰 ;

王月青 ;

宋志棠 ;

刘波 .

中国专利 :CN104201282B ,2014-12-10

[2]

相变存储器及其制备方法 [P].

王敬平 ;

向阳辉 ;

汪新学 .

中国专利 :CN109755384A ,2019-05-14

[3]

相变存储器及其制备方法 [P].

周凌珺 ;

杨红心 ;

刘峻 .

中国专利 :CN114784049B ,2025-08-12

[4]

相变存储器及其制备方法 [P].

张曙 ;

王晓娟 ;

雷威锋 ;

刘峻 ;

张恒 .

中国专利 :CN113314503B ,2021-08-27

[5]

相变存储器及其制备方法 [P].

周凌珺 ;

杨红心 ;

刘峻 .

中国专利 :CN114784049A ,2022-07-22

[6]

相变存储器及其制备方法 [P].

唐平 ;

刘峻 ;

王恩博 ;

杨红心 .

中国专利 :CN113871415A ,2021-12-31

[7]

相变存储器及其制备方法 [P].

周凌珺 ;

杨红心 ;

刘峻 .

中国专利 :CN114678467B ,2025-07-15

[8]

相变存储器及其制备方法 [P].

黄家恩 ;

陈彬 ;

丁科元 ;

饶峰 .

中国专利 :CN113838886A ,2021-12-24

[9]

相变存储器及其制备方法 [P].

周凌珺 ;

杨红心 ;

刘峻 .

中国专利 :CN121240459A ,2025-12-30

[10]

相变存储器及其制备方法 [P].

杨艳娟 ;

刘峻 ;

杨红心 .

中国专利 :CN112951991A ,2021-06-11

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