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半导体用超高纯石墨热场
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411207577.X
申请日：
2024-08-30
公开(公告)号：
CN119082882A
公开(公告)日：
2024-12-06
发明(设计)人：
杨振远
白俊鹏
戈珍军
丁光明
马长庆
申请人：
北京晶龙特碳科技有限公司
申请人地址：
101100 北京市通州区张家湾镇土桥村(北京新建房地产开发有限公司)7幢300号
IPC主分类号：
C30B35/00
IPC分类号：
C04B41/85
C04B41/91
代理机构：
北京东方芊悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11591
代理人：
陈益奇
法律状态：
公开
国省代码：
河北省
衡水市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-12-06 | 公开 | 公开 |
| 2024-12-24 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):C30B 35/00申请日:20240830 |