半导体用超高纯石墨发热体

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202422211619.9

申请日：

2024-09-10

公开(公告)号：

CN222996694U

公开(公告)日：

2025-06-17

发明(设计)人：

杨振远白俊鹏戈珍军丁光明马长庆

申请人：

北京晶龙特碳科技有限公司

申请人地址：

101100 北京市通州区张家湾镇土桥村(北京新建房地产开发有限公司)7幢300号

IPC主分类号：

H05B3/14

IPC分类号：

H05B3/20 H05B3/03 H05B3/02

代理机构：

北京东方芊悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11591

代理人：

陈益奇

法律状态：

授权

国省代码：

河北省衡水市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-17	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体用超高纯石墨模具 [P].

杨振远 .

中国专利 :CN223020898U ,2025-06-24

[2]

半导体用超高纯石墨坩埚检测装置 [P].

杨振远 ;

白俊鹏 ;

戈珍军 ;

丁光明 ;

马长庆 .

中国专利 :CN223259579U ,2025-08-22

[3]

半导体用超高纯石墨加热元件 [P].

杨振远 ;

白俊鹏 ;

戈珍军 ;

丁光明 ;

马长庆 .

中国专利 :CN223246726U ,2025-08-19

[4]

半导体用超高纯石墨电极 [P].

白俊鹏 .

中国专利 :CN222706661U ,2025-04-01

[5]

半导体用超高纯石墨绳检测装置 [P].

杨振远 ;

白俊鹏 ;

戈珍军 ;

丁光明 ;

马长庆 .

中国专利 :CN223426575U ,2025-10-10

[6]

半导体用超高纯石墨热场 [P].

杨振远 ;

白俊鹏 ;

戈珍军 ;

丁光明 ;

马长庆 .

中国专利 :CN119082882A ,2024-12-06

[7]

半导体用超高纯石墨毡表面处理装置 [P].

戈珍军 .

中国专利 :CN223097537U ,2025-07-15

[8]

半导体用超高纯石墨粉检测装置 [P].

杨振远 ;

白俊鹏 ;

戈珍军 ;

丁光明 ;

马长庆 .

中国专利 :CN223154978U ,2025-07-25

[9]

一种半导体用超高纯石墨加热器 [P].

杨振远 .

中国专利 :CN222691890U ,2025-03-28

[10]

石墨发热体用夹具及氢化炉 [P].

王耀挺 ;

王小伟 ;

胡永 ;

杨光军 ;

侯俊峰 .

中国专利 :CN202107541U ,2012-01-11

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