一种低回滞高介电可调铁电材料及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411078324.7

申请日：

2024-08-07

公开(公告)号：

CN118993143A

公开(公告)日：

2024-11-22

发明(设计)人：

闫非陈扬廖佳佳周益春廖敏刘马良

申请人：

西安电子科技大学

申请人地址：

710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

C01G29/00

IPC分类号：

H01G7/06 H01P1/18

代理机构：

西安智大知识产权代理事务所 61215

代理人：

弋才富

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01G 29/00申请日:20240807
2024-11-22	公开	公开

共 50 条

[21]

一种低损耗、高介电可调钛酸锶钡基陶瓷材料及其制备方法 [P].

翟继卫 ;

张奇伟 .

中国专利 :CN102358930B ,2012-02-22

[22]

一种介电开关材料及制备方法和应用 [P].

段海宝 ;

刘少贤 ;

于姗姗 ;

王志鹏 .

中国专利 :CN111056982A ,2020-04-24

[23]

低居里点的高介电电场双向可调的PZT基反铁电陶瓷材料及其制备 [P].

杨同青 ;

王瑾菲 ;

郑琼娜 ;

姚熹 .

中国专利 :CN102643090A ,2012-08-22

[24]

一种介电可调、低介电损耗的BMZN薄膜材料及其制备方法与应用 [P].

张灵翠 ;

石锋 ;

安忠芬 ;

董鲁萍 ;

金敏 ;

黄炳雄 .

中国专利 :CN117486608B ,2024-09-27

[25]

一种介电可调、低介电损耗的BMZN薄膜材料及其制备方法与应用 [P].

张灵翠 ;

石锋 ;

安忠芬 ;

董鲁萍 ;

金敏 ;

黄炳雄 .

中国专利 :CN117486608A ,2024-02-02

[26]

一种弛豫铁电/反铁电液晶材料及其制备方法和应用 [P].

陈相仲 ;

鲍昊 ;

周晨义 .

中国专利 :CN120795924A ,2025-10-17

[27]

一种极化性质可调的有机铁电材料及其制备方法和应用 [P].

何睿 ;

喻学锋 ;

吴笕筠 ;

窦竞 ;

李语溪 .

中国专利 :CN119978402A ,2025-05-13

[28]

介电可调的两相复合微波陶瓷材料及其制备方法 [P].

翟继卫 ;

姜海涛 .

中国专利 :CN101486568B ,2009-07-22

[29]

一种低损耗介电材料及其制备方法和应用 [P].

邵辉 ;

崔德威 ;

吴敏 ;

苗健 .

中国专利 :CN116396074B ,2024-06-07

[30]

一种介电材料及其制备方法 [P].

初宝进 ;

陈攀 .

中国专利 :CN104909744B ,2015-09-16

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