基板处理装置、基板处理方法及半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880097988.4

申请日：

2018-09-25

公开(公告)号：

CN112823409B

公开(公告)日：

2024-10-25

发明(设计)人：

西堂周平佐佐木隆史吉田秀成

申请人：

株式会社国际电气

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21/31

IPC分类号：

C23C16/455 H01L21/318

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

陈伟;闫剑平

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-25	授权	授权

共 50 条

[1]

基板处理装置及半导体器件的制造方法 [P].

西堂周平 ;

佐佐木隆史 ;

吉田秀成 .

中国专利 :CN112823409A ,2021-05-18

[2]

基板处理装置、半导体器件的制造方法及基板处理方法 [P].

中田高行 ;

野上孝志 ;

谷山智志 ;

上村大义 .

中国专利 :CN111463118A ,2020-07-28

[3]

基板处理装置、半导体器件的制造方法及基板处理方法 [P].

中田高行 ;

野上孝志 ;

谷山智志 ;

上村大义 .

日本专利 :CN111463118B ,2024-04-30

[4]

基板处理装置、基板处理方法及半导体器件的制造方法 [P].

内藤纲彦 ;

山内英之 .

日本专利 :CN118830057A ,2024-10-22

[5]

基板处理方法及其基板处理装置、半导体器件制造方法 [P].

朴坰 ;

权玹范 ;

李大成 .

中国专利 :CN114107958A ,2022-03-01

[6]

基板处理装置、半导体器件的制造方法以及基板处理方法 [P].

大桥直史 ;

竹田刚 ;

吉野晃生 .

日本专利 :CN118020145A ,2024-05-10

[7]

基板处理方法、基板处理装置和半导体器件的制造方法 [P].

盐原英志 ;

松永健太郎 ;

河村大辅 ;

竹石知之 ;

早崎圭 ;

伊藤信一 .

中国专利 :CN101005015A ,2007-07-25

[8]

半导体器件的制造方法、基板处理装置及程序 [P].

宫田智之 ;

安彦一 ;

川崎润一 ;

冈崎正 .

中国专利 :CN110945638A ,2020-03-31

[9]

基板处理装置、以及半导体器件的制造方法 [P].

石丸信雄 .

中国专利 :CN112563109A ,2021-03-26

[10]

基板处理装置、以及半导体器件的制造方法 [P].

石丸信雄 .

日本专利 :CN112563109B ,2024-12-10

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