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加热座及碳化硅外延设备
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202420042832.9
申请日
:
2024-01-08
公开(公告)号
:
CN222024559U
公开(公告)日
:
2024-11-19
发明(设计)人
:
孙涛
孙国峰
王彦君
孙晨光
陈海波
罗永恒
徐强
元佳丽
付子雨
马雯静
申请人
:
中环领先半导体科技股份有限公司
申请人地址
:
214203 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道
IPC主分类号
:
C30B25/10
IPC分类号
:
C30B29/36
C30B25/08
C30B25/16
代理机构
:
深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570
代理人
:
张华蒙
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-11-19
授权
授权
共 50 条
[1]
碳化硅外延设备及碳化硅外延层制备方法
[P].
论文数:
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机构:
刘兴昉
;
杨尚宇
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机构:
中国科学院半导体研究所
中国科学院半导体研究所
杨尚宇
;
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机构:
闫果果
;
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机构:
王雷
;
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机构:
赵万顺
;
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机构:
孙国胜
;
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机构:
曾一平
.
中国专利
:CN115852490B
,2025-08-29
[2]
碳化硅外延生长设备
[P].
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机构:
陈豪杰
;
范谞
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海南大学三亚研究院
海南大学三亚研究院
范谞
;
余乐俊
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海南大学三亚研究院
海南大学三亚研究院
余乐俊
;
吕威
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海南大学三亚研究院
海南大学三亚研究院
吕威
;
周辜名
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机构:
海南大学三亚研究院
海南大学三亚研究院
周辜名
.
中国专利
:CN119392374A
,2025-02-07
[3]
碳化硅外延生长设备
[P].
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机构:
陈豪杰
;
范谞
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海南大学三亚研究院
海南大学三亚研究院
范谞
;
余乐俊
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海南大学三亚研究院
海南大学三亚研究院
余乐俊
;
吕威
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海南大学三亚研究院
海南大学三亚研究院
吕威
;
周辜名
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机构:
海南大学三亚研究院
海南大学三亚研究院
周辜名
.
中国专利
:CN223496708U
,2025-10-31
[4]
一种碳化硅外延设备及外延生长方法
[P].
张广辉
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机构:
芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司
芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司
张广辉
;
蒲勇
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芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司
芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司
蒲勇
;
李达
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芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司
芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司
李达
;
卢勇
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芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司
芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司
卢勇
;
布丛郝
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芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司
芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司
布丛郝
;
徐玉田
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芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司
芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司
徐玉田
.
中国专利
:CN117604642A
,2024-02-27
[5]
碳化硅外延设备
[P].
杨龙
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杨龙
;
吴会旺
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吴会旺
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李召永
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李召永
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白春杰
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白春杰
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李伟峰
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李伟峰
;
张国良
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张国良
;
袁肇耿
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袁肇耿
;
薛宏伟
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薛宏伟
.
中国专利
:CN216514256U
,2022-05-13
[6]
碳化硅外延设备
[P].
傅林坚
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浙江求是半导体设备有限公司
浙江求是半导体设备有限公司
傅林坚
;
刘毅
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机构:
浙江求是半导体设备有限公司
浙江求是半导体设备有限公司
刘毅
;
吴正闪
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浙江求是半导体设备有限公司
浙江求是半导体设备有限公司
吴正闪
;
朱亮
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浙江求是半导体设备有限公司
浙江求是半导体设备有限公司
朱亮
;
曹建伟
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浙江求是半导体设备有限公司
浙江求是半导体设备有限公司
曹建伟
.
中国专利
:CN221480160U
,2024-08-06
[7]
碳化硅外延设备
[P].
刘永明
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蓝河科技(绍兴)有限公司
蓝河科技(绍兴)有限公司
刘永明
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王东兴
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蓝河科技(绍兴)有限公司
蓝河科技(绍兴)有限公司
王东兴
;
周慧娟
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蓝河科技(绍兴)有限公司
蓝河科技(绍兴)有限公司
周慧娟
.
中国专利
:CN120649150A
,2025-09-16
[8]
碳化硅外延设备
[P].
刘永明
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蓝河科技(绍兴)有限公司
蓝河科技(绍兴)有限公司
刘永明
;
王东兴
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蓝河科技(绍兴)有限公司
蓝河科技(绍兴)有限公司
王东兴
;
周慧娟
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机构:
蓝河科技(绍兴)有限公司
蓝河科技(绍兴)有限公司
周慧娟
.
中国专利
:CN120649150B
,2025-10-28
[9]
一种碳化硅外延设备用加热装置及外延设备
[P].
王威威
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机构:
芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司
芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司
王威威
;
张哲伟
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机构:
芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司
芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司
张哲伟
;
曹毅
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机构:
芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司
芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司
曹毅
.
中国专利
:CN221837147U
,2024-10-15
[10]
氯硅比分区域可控的碳化硅外延生长方法及碳化硅外延片
[P].
张永强
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机构:
河北普兴电子科技股份有限公司
河北普兴电子科技股份有限公司
张永强
;
尹志鹏
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河北普兴电子科技股份有限公司
河北普兴电子科技股份有限公司
尹志鹏
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尹浩田
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河北普兴电子科技股份有限公司
河北普兴电子科技股份有限公司
尹浩田
;
李晨阳
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河北普兴电子科技股份有限公司
河北普兴电子科技股份有限公司
李晨阳
;
杨龙
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机构:
河北普兴电子科技股份有限公司
河北普兴电子科技股份有限公司
杨龙
;
薛宏伟
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河北普兴电子科技股份有限公司
河北普兴电子科技股份有限公司
薛宏伟
.
中国专利
:CN119352150A
,2025-01-24
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