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金刚石基台及其制作方式
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202410934437.6
申请日
:
2024-07-12
公开(公告)号
:
CN118792734A
公开(公告)日
:
2024-10-18
发明(设计)人
:
李高金
李明君
李志博
吕申申
申请人
:
安徽碳索芯材科技有限公司
申请人地址
:
237300 安徽省六安市金寨经济开发区(现代产业园区)金叶路中兴产业园3#4#楼
IPC主分类号
:
C30B29/04
IPC分类号
:
C30B25/00
C30B33/02
B23K26/38
代理机构
:
合肥陆纬知识产权代理事务所(普通合伙) 34218
代理人
:
张芳
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-11-05
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/04申请日:20240712
2024-10-18
公开
公开
共 50 条
[1]
制备单晶金刚石用基片台、单晶金刚石的制备方法
[P].
马晨阳
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
河南天璇半导体科技有限责任公司
河南天璇半导体科技有限责任公司
马晨阳
;
朱肖华
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机构:
河南天璇半导体科技有限责任公司
河南天璇半导体科技有限责任公司
朱肖华
;
张春林
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0
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机构:
河南天璇半导体科技有限责任公司
河南天璇半导体科技有限责任公司
张春林
;
方海江
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机构:
河南天璇半导体科技有限责任公司
河南天璇半导体科技有限责任公司
方海江
.
中国专利
:CN119020855A
,2024-11-26
[2]
金刚石衬底及其生长方法、金刚石外延层的生长方法
[P].
崔新春
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机构:
深圳平湖实验室
深圳平湖实验室
崔新春
;
万玉喜
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机构:
深圳平湖实验室
深圳平湖实验室
万玉喜
;
胡浩林
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机构:
深圳平湖实验室
深圳平湖实验室
胡浩林
;
曾威
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机构:
深圳平湖实验室
深圳平湖实验室
曾威
.
中国专利
:CN117568926A
,2024-02-20
[3]
金刚石衬底及其生长方法、金刚石外延层的生长方法
[P].
崔新春
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机构:
深圳平湖实验室
深圳平湖实验室
崔新春
;
万玉喜
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机构:
深圳平湖实验室
深圳平湖实验室
万玉喜
;
胡浩林
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机构:
深圳平湖实验室
深圳平湖实验室
胡浩林
;
曾威
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机构:
深圳平湖实验室
深圳平湖实验室
曾威
.
中国专利
:CN117568926B
,2024-09-13
[4]
一种金刚石生长方法、金刚石材料、工作台
[P].
崔新春
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机构:
深圳平湖实验室
深圳平湖实验室
崔新春
;
万玉喜
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机构:
深圳平湖实验室
深圳平湖实验室
万玉喜
;
胡浩林
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机构:
深圳平湖实验室
深圳平湖实验室
胡浩林
;
曾威
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机构:
深圳平湖实验室
深圳平湖实验室
曾威
.
中国专利
:CN117488269A
,2024-02-02
[5]
一种单晶金刚石及其MPCVD制备方法
[P].
龚闯
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0
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0
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0
机构:
上海征世科技股份有限公司
上海征世科技股份有限公司
龚闯
;
论文数:
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机构:
满卫东
;
蒋梅荣
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机构:
上海征世科技股份有限公司
上海征世科技股份有限公司
蒋梅荣
;
杨春梅
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机构:
上海征世科技股份有限公司
上海征世科技股份有限公司
杨春梅
;
杨武
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机构:
上海征世科技股份有限公司
上海征世科技股份有限公司
杨武
.
中国专利
:CN114959891B
,2024-07-19
[6]
金刚石/硅复合衬底及其制法、金刚石基硅芯片的制造方法
[P].
胡荣昕
论文数:
0
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0
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0
机构:
化合积电(厦门)半导体科技有限公司
化合积电(厦门)半导体科技有限公司
胡荣昕
;
张星
论文数:
0
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机构:
化合积电(厦门)半导体科技有限公司
化合积电(厦门)半导体科技有限公司
张星
.
中国专利
:CN118835315A
,2024-10-25
[7]
一种金刚石自旋量子传感器及其制备方法
[P].
安红雨
论文数:
0
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机构:
深圳技术大学
深圳技术大学
安红雨
;
论文数:
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机构:
刘汇
;
杨卉
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机构:
深圳技术大学
深圳技术大学
杨卉
;
论文数:
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机构:
韩培刚
;
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机构:
何斌
;
黄江涛
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机构:
深圳技术大学
深圳技术大学
黄江涛
;
张宗雁
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机构:
深圳技术大学
深圳技术大学
张宗雁
.
中国专利
:CN120254714A
,2025-07-04
[8]
铁掺杂金刚石稀磁半导体及其制备方法
[P].
赵洪阳
论文数:
0
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赵洪阳
;
马志斌
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马志斌
;
程振祥
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程振祥
;
王欢
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王欢
;
蔡康
论文数:
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0
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蔡康
.
中国专利
:CN108914086A
,2018-11-30
[9]
单晶金刚石基板的制备方法及生长单晶金刚石的基材
[P].
郭艳敏
论文数:
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机构:
中电科先进材料技术创新有限公司
中电科先进材料技术创新有限公司
郭艳敏
;
王楠
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机构:
中电科先进材料技术创新有限公司
中电科先进材料技术创新有限公司
王楠
;
赵堃
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0
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机构:
中电科先进材料技术创新有限公司
中电科先进材料技术创新有限公司
赵堃
;
莫宇
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机构:
中电科先进材料技术创新有限公司
中电科先进材料技术创新有限公司
莫宇
.
中国专利
:CN116516476B
,2024-02-13
[10]
CVD单晶金刚石的二维扩大方法
[P].
马志斌
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马志斌
;
吴超
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吴超
;
黄宏伟
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黄宏伟
;
张田田
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张田田
;
宋修曦
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宋修曦
.
中国专利
:CN106012003B
,2016-10-12
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