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垂直电荷转移光电传感器
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202310411197.7
申请日
:
2023-04-14
公开(公告)号
:
CN118866913A
公开(公告)日
:
2024-10-29
发明(设计)人
:
曹开玮
申请人
:
武汉新芯集成电路股份有限公司
申请人地址
:
430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
IPC主分类号
:
H01L27/146
IPC分类号
:
代理机构
:
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
:
张亚静
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-11-15
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/146申请日:20230414
2024-10-29
公开
公开
共 50 条
[1]
垂直电荷转移光电传感器及其制作方法、操作方法
[P].
曹开玮
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
武汉新芯集成电路股份有限公司
武汉新芯集成电路股份有限公司
曹开玮
;
孙鹏
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
武汉新芯集成电路股份有限公司
武汉新芯集成电路股份有限公司
孙鹏
;
周俊
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
武汉新芯集成电路股份有限公司
武汉新芯集成电路股份有限公司
周俊
.
中国专利
:CN118538740A
,2024-08-23
[2]
电荷转移电容位置传感器
[P].
哈拉尔德·菲利普
论文数:
0
引用数:
0
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0
哈拉尔德·菲利普
.
中国专利
:CN1708672A
,2005-12-14
[3]
基于电荷转移的传感器
[P].
颜悦
论文数:
0
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0
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0
颜悦
;
张官理
论文数:
0
引用数:
0
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0
张官理
;
张小华
论文数:
0
引用数:
0
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0
张小华
;
潘耀南
论文数:
0
引用数:
0
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0
潘耀南
.
中国专利
:CN202331408U
,2012-07-11
[4]
垂直光电传感器
[P].
吕井坤
论文数:
0
引用数:
0
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0
吕井坤
.
中国专利
:CN201876246U
,2011-06-22
[5]
垂直电荷转移成像传感器及其制造方法
[P].
张霞
论文数:
0
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0
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机构:
武汉新芯集成电路股份有限公司
武汉新芯集成电路股份有限公司
张霞
;
曹开玮
论文数:
0
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0
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0
机构:
武汉新芯集成电路股份有限公司
武汉新芯集成电路股份有限公司
曹开玮
.
中国专利
:CN118610223A
,2024-09-06
[6]
垂直电荷转移成像传感器及其制造方法
[P].
龚风丛
论文数:
0
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机构:
武汉新芯集成电路制造有限公司
武汉新芯集成电路制造有限公司
龚风丛
;
曹开玮
论文数:
0
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0
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0
机构:
武汉新芯集成电路制造有限公司
武汉新芯集成电路制造有限公司
曹开玮
.
中国专利
:CN118073378A
,2024-05-24
[7]
垂直电荷转移成像传感器及其制造方法
[P].
易开样
论文数:
0
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0
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机构:
武汉新芯集成电路制造有限公司
武汉新芯集成电路制造有限公司
易开样
;
曹开玮
论文数:
0
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0
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0
机构:
武汉新芯集成电路制造有限公司
武汉新芯集成电路制造有限公司
曹开玮
;
郑志强
论文数:
0
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0
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0
机构:
武汉新芯集成电路制造有限公司
武汉新芯集成电路制造有限公司
郑志强
.
中国专利
:CN117334707A
,2024-01-02
[8]
基于电荷转移的传感器结构
[P].
张小华
论文数:
0
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0
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张小华
;
潘耀南
论文数:
0
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0
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0
潘耀南
;
章晶晶
论文数:
0
引用数:
0
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0
章晶晶
.
中国专利
:CN102289315A
,2011-12-21
[9]
基于电荷转移的传感器结构
[P].
张小华
论文数:
0
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0
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0
张小华
;
潘耀南
论文数:
0
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0
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0
潘耀南
;
章晶晶
论文数:
0
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0
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0
章晶晶
.
中国专利
:CN202120233U
,2012-01-18
[10]
图像传感器及电荷转移方法
[P].
田志
论文数:
0
引用数:
0
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田志
;
李娟娟
论文数:
0
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0
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李娟娟
;
邵华
论文数:
0
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0
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邵华
;
陈昊瑜
论文数:
0
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0
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0
陈昊瑜
.
中国专利
:CN111146224A
,2020-05-12
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