垂直电荷转移光电传感器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202310411197.7
申请日
2023-04-14
公开(公告)号
CN118866913A
公开(公告)日
2024-10-29
发明(设计)人
曹开玮
申请人
武汉新芯集成电路股份有限公司
申请人地址
430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
IPC主分类号
H01L27/146
IPC分类号
代理机构
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
张亚静
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
垂直电荷转移光电传感器及其制作方法、操作方法 [P]. 
曹开玮 ;
孙鹏 ;
周俊 .
中国专利 :CN118538740A ,2024-08-23
[2]
电荷转移电容位置传感器 [P]. 
哈拉尔德·菲利普 .
中国专利 :CN1708672A ,2005-12-14
[3]
基于电荷转移的传感器 [P]. 
颜悦 ;
张官理 ;
张小华 ;
潘耀南 .
中国专利 :CN202331408U ,2012-07-11
[4]
垂直光电传感器 [P]. 
吕井坤 .
中国专利 :CN201876246U ,2011-06-22
[5]
垂直电荷转移成像传感器及其制造方法 [P]. 
张霞 ;
曹开玮 .
中国专利 :CN118610223A ,2024-09-06
[6]
垂直电荷转移成像传感器及其制造方法 [P]. 
龚风丛 ;
曹开玮 .
中国专利 :CN118073378A ,2024-05-24
[7]
垂直电荷转移成像传感器及其制造方法 [P]. 
易开样 ;
曹开玮 ;
郑志强 .
中国专利 :CN117334707A ,2024-01-02
[8]
基于电荷转移的传感器结构 [P]. 
张小华 ;
潘耀南 ;
章晶晶 .
中国专利 :CN102289315A ,2011-12-21
[9]
基于电荷转移的传感器结构 [P]. 
张小华 ;
潘耀南 ;
章晶晶 .
中国专利 :CN202120233U ,2012-01-18
[10]
图像传感器及电荷转移方法 [P]. 
田志 ;
李娟娟 ;
邵华 ;
陈昊瑜 .
中国专利 :CN111146224A ,2020-05-12