学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
垂直电荷转移光电传感器及其制作方法、操作方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202310130394.1
申请日
:
2023-02-14
公开(公告)号
:
CN118538740A
公开(公告)日
:
2024-08-23
发明(设计)人
:
曹开玮
孙鹏
周俊
申请人
:
武汉新芯集成电路股份有限公司
申请人地址
:
430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
IPC主分类号
:
H01L27/146
IPC分类号
:
代理机构
:
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
:
张亚静
法律状态
:
公开
国省代码
:
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-08-23
公开
公开
2024-09-10
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/146申请日:20230214
共 50 条
[1]
垂直电荷转移光电传感器
[P].
曹开玮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
武汉新芯集成电路股份有限公司
武汉新芯集成电路股份有限公司
曹开玮
.
中国专利
:CN118866913A
,2024-10-29
[2]
垂直电荷转移成像传感器及其制作方法
[P].
曹开玮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
武汉新芯集成电路股份有限公司
武汉新芯集成电路股份有限公司
曹开玮
;
孙鹏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
武汉新芯集成电路股份有限公司
武汉新芯集成电路股份有限公司
孙鹏
.
中国专利
:CN118073377B
,2024-11-12
[3]
垂直电荷转移成像传感器及其制作方法
[P].
曹开玮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
武汉新芯集成电路制造有限公司
武汉新芯集成电路制造有限公司
曹开玮
;
孙鹏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
武汉新芯集成电路制造有限公司
武汉新芯集成电路制造有限公司
孙鹏
.
中国专利
:CN118073377A
,2024-05-24
[4]
垂直电荷转移成像传感器及其制作方法
[P].
曹开玮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
武汉新芯集成电路股份有限公司
武汉新芯集成电路股份有限公司
曹开玮
;
孙鹏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
武汉新芯集成电路股份有限公司
武汉新芯集成电路股份有限公司
孙鹏
.
中国专利
:CN119451261A
,2025-02-14
[5]
垂直电荷转移成像传感器及其形成方法
[P].
张霞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
武汉新芯集成电路制造有限公司
武汉新芯集成电路制造有限公司
张霞
;
曹开玮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
武汉新芯集成电路制造有限公司
武汉新芯集成电路制造有限公司
曹开玮
.
中国专利
:CN118073375A
,2024-05-24
[6]
垂直电荷转移成像传感器及其制造方法
[P].
张霞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
武汉新芯集成电路股份有限公司
武汉新芯集成电路股份有限公司
张霞
;
曹开玮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
武汉新芯集成电路股份有限公司
武汉新芯集成电路股份有限公司
曹开玮
.
中国专利
:CN118610223A
,2024-09-06
[7]
垂直电荷转移成像传感器件及其制作方法
[P].
张霞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
武汉新芯集成电路股份有限公司
武汉新芯集成电路股份有限公司
张霞
;
曹开玮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
武汉新芯集成电路股份有限公司
武汉新芯集成电路股份有限公司
曹开玮
;
易开样
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
武汉新芯集成电路股份有限公司
武汉新芯集成电路股份有限公司
易开样
.
中国专利
:CN120091641A
,2025-06-03
[8]
垂直电荷转移成像传感器及其制造方法
[P].
龚风丛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
武汉新芯集成电路制造有限公司
武汉新芯集成电路制造有限公司
龚风丛
;
曹开玮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
武汉新芯集成电路制造有限公司
武汉新芯集成电路制造有限公司
曹开玮
.
中国专利
:CN118073378A
,2024-05-24
[9]
垂直电荷转移成像传感器及其制造方法
[P].
易开样
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
武汉新芯集成电路制造有限公司
武汉新芯集成电路制造有限公司
易开样
;
曹开玮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
武汉新芯集成电路制造有限公司
武汉新芯集成电路制造有限公司
曹开玮
;
郑志强
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
武汉新芯集成电路制造有限公司
武汉新芯集成电路制造有限公司
郑志强
.
中国专利
:CN117334707A
,2024-01-02
[10]
基于电荷转移的传感器结构制作方法
[P].
张小华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张小华
;
潘耀南
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
潘耀南
;
章晶晶
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
章晶晶
.
中国专利
:CN102214042A
,2011-10-12
←
1
2
3
4
5
→