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垂直电荷转移成像传感器及其制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411547412.7
申请日：
2022-11-23
公开(公告)号：
CN119451261A
公开(公告)日：
2025-02-14
发明(设计)人：
曹开玮
孙鹏
申请人：
武汉新芯集成电路股份有限公司
申请人地址：
430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
IPC主分类号：
H10F39/18
IPC分类号：
代理机构：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人：
宋艳
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-02-14 | 公开 | 公开 |
| 2025-03-04 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10F 39/18申请日:20221123 |