反熔丝单元、反熔丝阵列结构、编程方法以及读取方法

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专利类型
发明
申请号
CN202310647608.2
申请日
2023-06-01
公开(公告)号
CN119108001A
公开(公告)日
2024-12-10
发明(设计)人
廖淼
申请人
长鑫存储技术有限公司
申请人地址
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号
G11C17/16
IPC分类号
G11C17/18
代理机构
代理人
法律状态
公开
国省代码
安徽省 宣城市
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共 50 条
[1]
反熔丝单元、反熔丝阵列结构、编程方法以及读取方法 [P]. 
廖淼 .
中国专利 :CN119108001B ,2025-09-19
[2]
反熔丝单元结构及反熔丝阵列 [P]. 
李雄 ;
李庚泽 ;
冯鹏 .
中国专利 :CN113496986A ,2021-10-12
[3]
反熔丝单元结构和反熔丝阵列结构 [P]. 
李新 ;
应战 .
中国专利 :CN210403728U ,2020-04-24
[4]
反熔丝单元及反熔丝阵列 [P]. 
刘志拯 .
中国专利 :CN113496988A ,2021-10-12
[5]
反熔丝单元及反熔丝阵列 [P]. 
刘志拯 .
中国专利 :CN113496989A ,2021-10-12
[6]
反熔丝单元及反熔丝阵列 [P]. 
刘志拯 .
中国专利 :CN113496989B ,2024-02-09
[7]
反熔丝单元结构、反熔丝阵列结构及其制备方法 [P]. 
李新 ;
应战 .
中国专利 :CN112447732A ,2021-03-05
[8]
反熔丝单元、反熔丝阵列结构及反熔丝存储器件 [P]. 
廖淼 .
中国专利 :CN118969764A ,2024-11-15
[9]
反熔丝阵列结构以及反熔丝存储器件 [P]. 
窦心愿 .
中国专利 :CN119008584A ,2024-11-22
[10]
反熔丝阵列结构以及反熔丝存储器件 [P]. 
窦心愿 .
中国专利 :CN119008584B ,2025-10-03