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反熔丝阵列结构以及反熔丝存储器件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202310542893.1
申请日：
2023-05-12
公开(公告)号：
CN119008584B
公开(公告)日：
2025-10-03
发明(设计)人：
窦心愿
申请人：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H01L23/525
IPC分类号：
H10B20/25
代理机构：
代理人：
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
安徽省
宣城市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-12-10 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/525申请日:20230512 |
| 2025-10-03 | 授权 | 授权 |
| 2024-11-22 | 公开 | 公开 |