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反熔丝单元、反熔丝存储器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202210761888.5
申请日：
2022-06-29
公开(公告)号：
CN115101478B
公开(公告)日：
2025-10-31
发明(设计)人：
凌周轩
余快
梁肖
孙琪
申请人：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址：
201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
IPC主分类号：
H10B20/25
IPC分类号：
代理机构：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人：
周耀君
法律状态：
授权
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-10-31 | 授权 | 授权 |