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反熔丝存储阵列以及反熔丝存储器

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411950954.9
申请日：
2024-12-27
公开(公告)号：
CN119889403A
公开(公告)日：
2025-04-25
发明(设计)人：
任雪
申请人：
东芯半导体股份有限公司
申请人地址：
201799 上海市青浦区徐泾镇诸光路1588弄虹桥世界中心L4A-F5
IPC主分类号：
G11C17/16
IPC分类号：
G11C17/18
代理机构：
上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人：
付尉琳;张鑫
法律状态：
公开
国省代码：
上海市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-25 公开 公开
2025-05-13 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G11C 17/16申请日:20241227
共 50 条
[1]
反熔丝阵列结构以及反熔丝存储器件 [P]. 
窦心愿 .
中国专利 :CN119008584A ,2024-11-22
[2]
反熔丝阵列结构以及反熔丝存储器件 [P]. 
窦心愿 .
中国专利 :CN119008584B ,2025-10-03
[3]
反熔丝阵列以及存储器 [P]. 
朱东波 ;
黄铭辉 ;
李宗翰 .
中国专利 :CN115394750A ,2022-11-25
[4]
反熔丝单元、反熔丝阵列及存储器 [P]. 
陈柏全 ;
佘法爽 .
中国专利 :CN118900563A ,2024-11-05
[5]
反熔丝单元、反熔丝阵列结构及反熔丝存储器件 [P]. 
廖淼 .
中国专利 :CN118969764A ,2024-11-15
[6]
反熔丝读出电路、反熔丝存储器以及测试方法 [P]. 
季汝敏 .
中国专利 :CN116343847B ,2025-07-11
[7]
反熔丝存储器的读出电路、反熔丝存储器的读出方法以及反熔丝存储器 [P]. 
任雪 ;
俞惠 .
中国专利 :CN119601064A ,2025-03-11
[8]
反熔丝存储器 [P]. 
葛西秀男 ;
谷口泰弘 ;
川嶋泰彦 ;
樱井良多郎 ;
品川裕 ;
户谷达郎 ;
山口贵德 ;
大和田福夫 ;
吉田信司 ;
畑田辉男 ;
野田敏史 ;
加藤贵文 ;
村谷哲也 ;
奥山幸祐 .
日本专利 :CN111987101B ,2024-08-02
[9]
反熔丝存储器 [P]. 
郑仲皓 ;
许齐修 ;
连启发 ;
林英廷 ;
赖成孝 ;
莫亚楠 .
中国专利 :CN117715420A ,2024-03-15
[10]
反熔丝存储器 [P]. 
葛西秀男 ;
谷口泰弘 ;
川嶋泰彦 ;
樱井良多郎 ;
品川裕 ;
户谷达郎 ;
山口贵德 ;
大和田福夫 ;
吉田信司 ;
畑田辉男 ;
野田敏史 ;
加藤贵文 ;
村谷哲也 ;
奥山幸祐 .
中国专利 :CN111987101A ,2020-11-24
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