反熔丝存储器的读出电路、反熔丝存储器的读出方法以及反熔丝存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411671481.9

申请日：

2024-11-21

公开(公告)号：

CN119601064A

公开(公告)日：

2025-03-11

发明(设计)人：

任雪俞惠

申请人：

东芯半导体股份有限公司

申请人地址：

201799 上海市青浦区徐泾镇诸光路1588弄虹桥世界中心L4A-F5

IPC主分类号：

G11C17/16

IPC分类号：

H10B20/25 G11C17/18 G11C7/12

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

陆寅春;张鑫

法律状态：

公开

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-11	公开	公开
2025-03-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G11C 17/16申请日:20241121

共 50 条

[1]

反熔丝读出电路、反熔丝存储器以及测试方法 [P].

季汝敏 .

中国专利 :CN116343847B ,2025-07-11

[2]

反熔丝存储阵列以及反熔丝存储器 [P].

任雪 .

中国专利 :CN119889403A ,2025-04-25

[3]

反熔丝存储器 [P].

葛西秀男 ;

谷口泰弘 ;

川嶋泰彦 ;

樱井良多郎 ;

品川裕 ;

户谷达郎 ;

山口贵德 ;

大和田福夫 ;

吉田信司 ;

畑田辉男 ;

野田敏史 ;

加藤贵文 ;

村谷哲也 ;

奥山幸祐 .

日本专利 :CN111987101B ,2024-08-02

[4]

反熔丝存储器 [P].

郑仲皓 ;

许齐修 ;

连启发 ;

林英廷 ;

赖成孝 ;

莫亚楠 .

中国专利 :CN117715420A ,2024-03-15

[5]

反熔丝存储器 [P].

葛西秀男 ;

谷口泰弘 ;

川嶋泰彦 ;

樱井良多郎 ;

品川裕 ;

户谷达郎 ;

山口贵德 ;

大和田福夫 ;

吉田信司 ;

畑田辉男 ;

野田敏史 ;

加藤贵文 ;

村谷哲也 ;

奥山幸祐 .

中国专利 :CN111987101A ,2020-11-24

[6]

反熔丝存储器架构以及反熔丝存储器操作方法 [P].

廖忠志 ;

吴显扬 .

中国专利 :CN106816171B ,2017-06-09

[7]

反熔丝电路及存储器 [P].

温翔圣 ;

严允柱 .

中国专利 :CN118824329A ,2024-10-22

[8]

反熔丝存储器单元 [P].

沃德克·库尔贾诺韦茨 .

中国专利 :CN105849861A ,2016-08-10

[9]

反熔丝单元、反熔丝阵列及存储器 [P].

陈柏全 ;

佘法爽 .

中国专利 :CN118900563A ,2024-11-05

[10]

反熔丝阵列以及存储器 [P].

朱东波 ;

黄铭辉 ;

李宗翰 .

中国专利 :CN115394750A ,2022-11-25

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