反熔丝读出电路、反熔丝存储器以及测试方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202111602087.6
申请日
2021-12-24
公开(公告)号
CN116343847B
公开(公告)日
2025-07-11
发明(设计)人
季汝敏
申请人
长鑫存储技术有限公司
申请人地址
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号
G11C7/10
IPC分类号
G11C16/26
代理机构
代理人
法律状态
授权
国省代码
安徽省 宣城市
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共 50 条
[1]
反熔丝存储器的读出电路、反熔丝存储器的读出方法以及反熔丝存储器 [P]. 
任雪 ;
俞惠 .
中国专利 :CN119601064A ,2025-03-11
[2]
反熔丝存储阵列以及反熔丝存储器 [P]. 
任雪 .
中国专利 :CN119889403A ,2025-04-25
[3]
反熔丝存储电路 [P]. 
季汝敏 .
中国专利 :CN115641897B ,2025-07-11
[4]
反熔丝存储电路 [P]. 
季汝敏 .
中国专利 :CN115641897A ,2023-01-24
[5]
反熔丝存储器架构以及反熔丝存储器操作方法 [P]. 
廖忠志 ;
吴显扬 .
中国专利 :CN106816171B ,2017-06-09
[6]
反熔丝阵列结构以及反熔丝存储器件 [P]. 
窦心愿 .
中国专利 :CN119008584A ,2024-11-22
[7]
反熔丝阵列结构以及反熔丝存储器件 [P]. 
窦心愿 .
中国专利 :CN119008584B ,2025-10-03
[8]
反熔丝存储器 [P]. 
葛西秀男 ;
谷口泰弘 ;
川嶋泰彦 ;
樱井良多郎 ;
品川裕 ;
户谷达郎 ;
山口贵德 ;
大和田福夫 ;
吉田信司 ;
畑田辉男 ;
野田敏史 ;
加藤贵文 ;
村谷哲也 ;
奥山幸祐 .
日本专利 :CN111987101B ,2024-08-02
[9]
反熔丝存储器 [P]. 
郑仲皓 ;
许齐修 ;
连启发 ;
林英廷 ;
赖成孝 ;
莫亚楠 .
中国专利 :CN117715420A ,2024-03-15
[10]
反熔丝存储器 [P]. 
葛西秀男 ;
谷口泰弘 ;
川嶋泰彦 ;
樱井良多郎 ;
品川裕 ;
户谷达郎 ;
山口贵德 ;
大和田福夫 ;
吉田信司 ;
畑田辉男 ;
野田敏史 ;
加藤贵文 ;
村谷哲也 ;
奥山幸祐 .
中国专利 :CN111987101A ,2020-11-24