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反熔丝存储电路
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110813575.5
申请日
:
2021-07-19
公开(公告)号
:
CN115641897B
公开(公告)日
:
2025-07-11
发明(设计)人
:
季汝敏
申请人
:
长鑫存储技术有限公司
申请人地址
:
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号
:
G11C17/16
IPC分类号
:
G11C7/10
G11C7/12
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
授权
国省代码
:
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-07-11
授权
授权
共 50 条
[1]
反熔丝存储电路
[P].
季汝敏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
季汝敏
.
中国专利
:CN115641897A
,2023-01-24
[2]
反熔丝存储电路
[P].
季汝敏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
季汝敏
.
中国专利
:CN115602235B
,2025-07-04
[3]
反熔丝存储电路
[P].
季汝敏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
季汝敏
.
中国专利
:CN115602235A
,2023-01-13
[4]
反熔丝读出电路、反熔丝存储器以及测试方法
[P].
季汝敏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
季汝敏
.
中国专利
:CN116343847B
,2025-07-11
[5]
反熔丝电路及存储器
[P].
温翔圣
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
温翔圣
;
严允柱
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
严允柱
.
中国专利
:CN118824329A
,2024-10-22
[6]
反熔丝阵列结构及存储器
[P].
池性洙
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
池性洙
.
中国专利
:CN115831918B
,2025-08-29
[7]
反熔丝阵列结构及存储器
[P].
池性洙
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
池性洙
.
中国专利
:CN115835628B
,2025-10-14
[8]
反熔丝存储阵列以及反熔丝存储器
[P].
任雪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
东芯半导体股份有限公司
东芯半导体股份有限公司
任雪
.
中国专利
:CN119889403A
,2025-04-25
[9]
反熔丝存储器的读出电路、反熔丝存储器的读出方法以及反熔丝存储器
[P].
任雪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
东芯半导体股份有限公司
东芯半导体股份有限公司
任雪
;
俞惠
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
东芯半导体股份有限公司
东芯半导体股份有限公司
俞惠
.
中国专利
:CN119601064A
,2025-03-11
[10]
反熔丝阵列架构及存储器
[P].
陈啸宸
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
陈啸宸
.
中国专利
:CN115171764B
,2025-08-01
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