反熔丝存储电路

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110813575.5
申请日
2021-07-19
公开(公告)号
CN115641897B
公开(公告)日
2025-07-11
发明(设计)人
季汝敏
申请人
长鑫存储技术有限公司
申请人地址
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号
G11C17/16
IPC分类号
G11C7/10 G11C7/12
代理机构
代理人
法律状态
授权
国省代码
安徽省 宣城市
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共 50 条
[1]
反熔丝存储电路 [P]. 
季汝敏 .
中国专利 :CN115641897A ,2023-01-24
[2]
反熔丝存储电路 [P]. 
季汝敏 .
中国专利 :CN115602235B ,2025-07-04
[3]
反熔丝存储电路 [P]. 
季汝敏 .
中国专利 :CN115602235A ,2023-01-13
[4]
反熔丝读出电路、反熔丝存储器以及测试方法 [P]. 
季汝敏 .
中国专利 :CN116343847B ,2025-07-11
[5]
反熔丝电路及存储器 [P]. 
温翔圣 ;
严允柱 .
中国专利 :CN118824329A ,2024-10-22
[6]
反熔丝阵列结构及存储器 [P]. 
池性洙 .
中国专利 :CN115831918B ,2025-08-29
[7]
反熔丝阵列结构及存储器 [P]. 
池性洙 .
中国专利 :CN115835628B ,2025-10-14
[8]
反熔丝存储阵列以及反熔丝存储器 [P]. 
任雪 .
中国专利 :CN119889403A ,2025-04-25
[9]
反熔丝存储器的读出电路、反熔丝存储器的读出方法以及反熔丝存储器 [P]. 
任雪 ;
俞惠 .
中国专利 :CN119601064A ,2025-03-11
[10]
反熔丝阵列架构及存储器 [P]. 
陈啸宸 .
中国专利 :CN115171764B ,2025-08-01