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反熔丝阵列结构及存储器
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111095281.X
申请日：
2021-09-17
公开(公告)号：
CN115835628B
公开(公告)日：
2025-10-14
发明(设计)人：
池性洙
申请人：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H10B20/25
IPC分类号：
G11C7/18
G11C8/14
G11C16/10
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
安徽省
宣城市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-10-14 | 授权 | 授权 |