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反熔丝电路及存储器

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202310384611.X
申请日：
2023-04-06
公开(公告)号：
CN118824329A
公开(公告)日：
2024-10-22
发明(设计)人：
温翔圣 严允柱
申请人：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
G11C17/16
IPC分类号：
代理机构：
代理人：
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-11-08 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G11C 17/16申请日:20230406
2024-10-22 公开 公开
共 50 条
[1]
反熔丝存储器的读出电路、反熔丝存储器的读出方法以及反熔丝存储器 [P]. 
任雪 ;
俞惠 .
中国专利 :CN119601064A ,2025-03-11
[2]
反熔丝存储单元状态检测电路及存储器 [P]. 
季汝敏 .
中国专利 :CN113948142A ,2022-01-18
[3]
反熔丝存储电路 [P]. 
季汝敏 .
中国专利 :CN115641897B ,2025-07-11
[4]
反熔丝存储电路 [P]. 
季汝敏 .
中国专利 :CN115641897A ,2023-01-24
[5]
反熔丝单元、反熔丝阵列及存储器 [P]. 
陈柏全 ;
佘法爽 .
中国专利 :CN118900563A ,2024-11-05
[6]
反熔丝存储器 [P]. 
葛西秀男 ;
谷口泰弘 ;
川嶋泰彦 ;
樱井良多郎 ;
品川裕 ;
户谷达郎 ;
山口贵德 ;
大和田福夫 ;
吉田信司 ;
畑田辉男 ;
野田敏史 ;
加藤贵文 ;
村谷哲也 ;
奥山幸祐 .
日本专利 :CN111987101B ,2024-08-02
[7]
反熔丝存储器 [P]. 
郑仲皓 ;
许齐修 ;
连启发 ;
林英廷 ;
赖成孝 ;
莫亚楠 .
中国专利 :CN117715420A ,2024-03-15
[8]
反熔丝存储器 [P]. 
葛西秀男 ;
谷口泰弘 ;
川嶋泰彦 ;
樱井良多郎 ;
品川裕 ;
户谷达郎 ;
山口贵德 ;
大和田福夫 ;
吉田信司 ;
畑田辉男 ;
野田敏史 ;
加藤贵文 ;
村谷哲也 ;
奥山幸祐 .
中国专利 :CN111987101A ,2020-11-24
[9]
反熔丝阵列结构及存储器 [P]. 
池性洙 .
中国专利 :CN115831918B ,2025-08-29
[10]
反熔丝阵列结构及存储器 [P]. 
池性洙 .
中国专利 :CN115835628B ,2025-10-14
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