最小死区三维沟槽电极硅探测器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010335009.3

申请日：

2020-04-24

公开(公告)号：

CN111540795B

公开(公告)日：

2024-11-22

发明(设计)人：

李正周滔

申请人：

湘潭大学

申请人地址：

411105 湖南省湘潭市雨湖区北二环湘潭大学

IPC主分类号：

H01L31/0224

IPC分类号：

H01L31/108

代理机构：

长沙新裕知识产权代理有限公司 43210

代理人：

刘熙

法律状态：

授权

国省代码：

湖南省湘潭市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-22	授权	授权

共 50 条

[1]

最小死区三维沟槽电极硅探测器 [P].

李正 ;

周滔 .

中国专利 :CN211828781U ,2020-10-30

[2]

最小死区三维沟槽电极硅探测器 [P].

李正 ;

周滔 .

中国专利 :CN111540795A ,2020-08-14

[3]

硅三维沟槽电极探测器 [P].

刘美萍 ;

唐勇 ;

何鑫 ;

潘雪洋 ;

刘文富 .

中国专利 :CN216209942U ,2022-04-05

[4]

硅三维沟槽电极探测器 [P].

唐勇 ;

刘美萍 ;

何鑫 ;

潘雪洋 ;

刘文富 .

中国专利 :CN113885081A ,2022-01-04

[5]

嵌套式三维沟槽电极硅探测器 [P].

李正 ;

刘美萍 ;

张亚 ;

王明洋 .

中国专利 :CN110611009B ,2019-12-24

[6]

最小死区的闭合式三维沟槽硅探测器 [P].

李正 ;

刘晓洁 .

中国专利 :CN107527961A ,2017-12-29

[7]

最小死区的闭合式三维沟槽硅探测器 [P].

李正 ;

刘晓洁 .

中国专利 :CN207474475U ,2018-06-08

[8]

三维沟槽电极硅探测器及其制备方法 [P].

刘曼文 ;

成文政 ;

李志华 .

中国专利 :CN114784121B ,2024-05-17

[9]

三维沟槽电极硅探测器及其制备方法 [P].

刘曼文 ;

成文政 ;

李志华 .

中国专利 :CN114784121A ,2022-07-22

[10]

嵌套式X射线三维沟槽电极硅探测器 [P].

刘美萍 ;

唐勇 ;

宋俊 .

中国专利 :CN115472703A ,2022-12-13

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