硅三维沟槽电极探测器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111289286.6

申请日：

2021-11-02

公开(公告)号：

CN113885081A

公开(公告)日：

2022-01-04

发明(设计)人：

唐勇刘美萍何鑫潘雪洋刘文富

申请人：

申请人地址：

463100 河南省驻马店市驿城区黄淮学院

IPC主分类号：

G01V300

IPC分类号：

代理机构：

苏州拓云知识产权代理事务所(普通合伙) 32344

代理人：

王云峰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01V 3/00 申请日:20211102
2022-01-04	公开	公开

共 50 条

[1]

硅三维沟槽电极探测器 [P].

刘美萍 ;

唐勇 ;

何鑫 ;

潘雪洋 ;

刘文富 .

中国专利 :CN216209942U ,2022-04-05

[2]

最小死区三维沟槽电极硅探测器 [P].

李正 ;

周滔 .

中国专利 :CN111540795A ,2020-08-14

[3]

嵌套式三维沟槽电极硅探测器 [P].

李正 ;

刘美萍 ;

张亚 ;

王明洋 .

中国专利 :CN110611009B ,2019-12-24

[4]

最小死区三维沟槽电极硅探测器 [P].

李正 ;

周滔 .

中国专利 :CN111540795B ,2024-11-22

[5]

最小死区三维沟槽电极硅探测器 [P].

李正 ;

周滔 .

中国专利 :CN211828781U ,2020-10-30

[6]

嵌套式X射线三维沟槽电极硅探测器 [P].

刘美萍 ;

唐勇 ;

宋俊 .

中国专利 :CN115472703A ,2022-12-13

[7]

三维沟槽电极硅探测器及其制备方法 [P].

刘曼文 ;

成文政 ;

李志华 .

中国专利 :CN114784121B ,2024-05-17

[8]

三维沟槽硅电极探测器及其制备方法 [P].

刘美萍 ;

唐勇 ;

白柳杨 ;

李景富 ;

李福荣 .

中国专利 :CN115663039A ,2023-01-31

[9]

三维沟槽电极硅探测器及其制备方法 [P].

刘曼文 ;

成文政 ;

李志华 .

中国专利 :CN114784121A ,2022-07-22

[10]

可变中心收集电极的三维沟槽电极硅探测器 [P].

李正 ;

廖川 ;

唐立鹏 ;

张亚 .

中国专利 :CN106449802B ,2017-02-22

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