三维沟槽硅电极探测器及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202211401948.9

申请日：

2022-11-07

公开(公告)号：

CN115663039A

公开(公告)日：

2023-01-31

发明(设计)人：

刘美萍唐勇白柳杨李景富李福荣

申请人：

申请人地址：

463100 河南省驻马店市驿城区黄淮学院

IPC主分类号：

H01L310224

IPC分类号：

H01L310336 H01L310352 H01L31109 H01L3118

代理机构：

成都初阳知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 51305

代理人：

杨继栋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-31	公开	公开
2023-02-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0224 申请日:20221107

共 50 条

[1]

硅三维沟槽电极探测器 [P].

刘美萍 ;

唐勇 ;

何鑫 ;

潘雪洋 ;

刘文富 .

中国专利 :CN216209942U ,2022-04-05

[2]

硅三维沟槽电极探测器 [P].

唐勇 ;

刘美萍 ;

何鑫 ;

潘雪洋 ;

刘文富 .

中国专利 :CN113885081A ,2022-01-04

[3]

三维沟槽电极硅探测器及其制备方法 [P].

刘曼文 ;

成文政 ;

李志华 .

中国专利 :CN114784121B ,2024-05-17

[4]

三维沟槽电极硅探测器及其制备方法 [P].

刘曼文 ;

成文政 ;

李志华 .

中国专利 :CN114784121A ,2022-07-22

[5]

最小死区三维沟槽电极硅探测器 [P].

李正 ;

周滔 .

中国专利 :CN111540795A ,2020-08-14

[6]

嵌套式三维沟槽电极硅探测器 [P].

李正 ;

刘美萍 ;

张亚 ;

王明洋 .

中国专利 :CN110611009B ,2019-12-24

[7]

最小死区三维沟槽电极硅探测器 [P].

李正 ;

周滔 .

中国专利 :CN111540795B ,2024-11-22

[8]

最小死区三维沟槽电极硅探测器 [P].

李正 ;

周滔 .

中国专利 :CN211828781U ,2020-10-30

[9]

嵌套式X射线三维沟槽电极硅探测器 [P].

刘美萍 ;

唐勇 ;

宋俊 .

中国专利 :CN115472703A ,2022-12-13

[10]

三维沟槽电极探测器阵列及其制备方法 [P].

刘曼文 ;

成文政 ;

李志华 .

中国专利 :CN117577655A ,2024-02-20

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