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三维沟槽电极探测器阵列及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202311519432.9
申请日
:
2023-11-14
公开(公告)号
:
CN117577655A
公开(公告)日
:
2024-02-20
发明(设计)人
:
刘曼文
成文政
李志华
申请人
:
中国科学院微电子研究所
申请人地址
:
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
IPC主分类号
:
H01L27/146
IPC分类号
:
代理机构
:
北京辰权知识产权代理有限公司 11619
代理人
:
程杰
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
北京市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-03-19
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/146申请日:20231114
2024-02-20
公开
公开
共 50 条
[1]
三维沟槽电极硅探测器及其制备方法
[P].
刘曼文
论文数:
0
引用数:
0
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刘曼文
;
成文政
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成文政
;
李志华
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李志华
.
中国专利
:CN114784121A
,2022-07-22
[2]
三维沟槽电极硅探测器及其制备方法
[P].
刘曼文
论文数:
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0
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机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
刘曼文
;
成文政
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机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
成文政
;
论文数:
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机构:
李志华
.
中国专利
:CN114784121B
,2024-05-17
[3]
硅三维沟槽电极探测器
[P].
刘美萍
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0
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刘美萍
;
唐勇
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唐勇
;
何鑫
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何鑫
;
潘雪洋
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潘雪洋
;
刘文富
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0
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刘文富
.
中国专利
:CN216209942U
,2022-04-05
[4]
硅三维沟槽电极探测器
[P].
唐勇
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唐勇
;
刘美萍
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刘美萍
;
何鑫
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何鑫
;
潘雪洋
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潘雪洋
;
刘文富
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刘文富
.
中国专利
:CN113885081A
,2022-01-04
[5]
三维沟槽硅电极探测器及其制备方法
[P].
刘美萍
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刘美萍
;
唐勇
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唐勇
;
白柳杨
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白柳杨
;
李景富
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李景富
;
李福荣
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李福荣
.
中国专利
:CN115663039A
,2023-01-31
[6]
双面漂浮环的三维沟槽电极探测器及其制备方法
[P].
刘曼文
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机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
刘曼文
;
成文政
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机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
成文政
;
论文数:
引用数:
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机构:
李志华
.
中国专利
:CN114784122B
,2024-04-16
[7]
双面漂浮环的三维沟槽电极探测器及其制备方法
[P].
刘曼文
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刘曼文
;
成文政
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成文政
;
李志华
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0
李志华
.
中国专利
:CN114784122A
,2022-07-22
[8]
中央电极贯穿的三维沟槽电极探测器及其制备方法
[P].
刘曼文
论文数:
0
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0
刘曼文
;
成文政
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成文政
;
李志华
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李志华
.
中国专利
:CN114899248A
,2022-08-12
[9]
中央电极贯穿的三维沟槽电极探测器及其制备方法
[P].
刘曼文
论文数:
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机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
刘曼文
;
成文政
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机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
成文政
;
论文数:
引用数:
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机构:
李志华
.
中国专利
:CN114899248B
,2024-04-16
[10]
嵌套式三维沟槽电极硅探测器
[P].
李正
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李正
;
刘美萍
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刘美萍
;
张亚
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张亚
;
王明洋
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王明洋
.
中国专利
:CN110611009B
,2019-12-24
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