三维沟槽电极探测器阵列及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311519432.9
申请日
2023-11-14
公开(公告)号
CN117577655A
公开(公告)日
2024-02-20
发明(设计)人
刘曼文 成文政 李志华
申请人
中国科学院微电子研究所
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
IPC主分类号
H01L27/146
IPC分类号
代理机构
北京辰权知识产权代理有限公司 11619
代理人
程杰
法律状态
实质审查的生效
国省代码
北京市
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共 50 条
[1]
三维沟槽电极硅探测器及其制备方法 [P]. 
刘曼文 ;
成文政 ;
李志华 .
中国专利 :CN114784121A ,2022-07-22
[2]
三维沟槽电极硅探测器及其制备方法 [P]. 
刘曼文 ;
成文政 ;
李志华 .
中国专利 :CN114784121B ,2024-05-17
[3]
硅三维沟槽电极探测器 [P]. 
刘美萍 ;
唐勇 ;
何鑫 ;
潘雪洋 ;
刘文富 .
中国专利 :CN216209942U ,2022-04-05
[4]
硅三维沟槽电极探测器 [P]. 
唐勇 ;
刘美萍 ;
何鑫 ;
潘雪洋 ;
刘文富 .
中国专利 :CN113885081A ,2022-01-04
[5]
三维沟槽硅电极探测器及其制备方法 [P]. 
刘美萍 ;
唐勇 ;
白柳杨 ;
李景富 ;
李福荣 .
中国专利 :CN115663039A ,2023-01-31
[6]
双面漂浮环的三维沟槽电极探测器及其制备方法 [P]. 
刘曼文 ;
成文政 ;
李志华 .
中国专利 :CN114784122B ,2024-04-16
[7]
双面漂浮环的三维沟槽电极探测器及其制备方法 [P]. 
刘曼文 ;
成文政 ;
李志华 .
中国专利 :CN114784122A ,2022-07-22
[8]
中央电极贯穿的三维沟槽电极探测器及其制备方法 [P]. 
刘曼文 ;
成文政 ;
李志华 .
中国专利 :CN114899248A ,2022-08-12
[9]
中央电极贯穿的三维沟槽电极探测器及其制备方法 [P]. 
刘曼文 ;
成文政 ;
李志华 .
中国专利 :CN114899248B ,2024-04-16
[10]
嵌套式三维沟槽电极硅探测器 [P]. 
李正 ;
刘美萍 ;
张亚 ;
王明洋 .
中国专利 :CN110611009B ,2019-12-24