双面漂浮环的三维沟槽电极探测器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210225615.9

申请日：

2022-03-07

公开(公告)号：

CN114784122B

公开(公告)日：

2024-04-16

发明(设计)人：

刘曼文成文政李志华

申请人：

中国科学院微电子研究所

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L31/0224

IPC分类号：

H01L31/115 H01L31/18

代理机构：

北京辰权知识产权代理有限公司 11619

代理人：

史晶晶

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-16	授权	授权

共 50 条

[1]

双面漂浮环的三维沟槽电极探测器及其制备方法 [P].

刘曼文 ;

成文政 ;

李志华 .

中国专利 :CN114784122A ,2022-07-22

[2]

三维沟槽电极探测器阵列及其制备方法 [P].

刘曼文 ;

成文政 ;

李志华 .

中国专利 :CN117577655A ,2024-02-20

[3]

中央电极贯穿的三维沟槽电极探测器及其制备方法 [P].

刘曼文 ;

成文政 ;

李志华 .

中国专利 :CN114899248A ,2022-08-12

[4]

中央电极贯穿的三维沟槽电极探测器及其制备方法 [P].

刘曼文 ;

成文政 ;

李志华 .

中国专利 :CN114899248B ,2024-04-16

[5]

三维沟槽电极硅探测器及其制备方法 [P].

刘曼文 ;

成文政 ;

李志华 .

中国专利 :CN114784121A ,2022-07-22

[6]

三维沟槽电极硅探测器及其制备方法 [P].

刘曼文 ;

成文政 ;

李志华 .

中国专利 :CN114784121B ,2024-05-17

[7]

硅三维沟槽电极探测器 [P].

刘美萍 ;

唐勇 ;

何鑫 ;

潘雪洋 ;

刘文富 .

中国专利 :CN216209942U ,2022-04-05

[8]

硅三维沟槽电极探测器 [P].

唐勇 ;

刘美萍 ;

何鑫 ;

潘雪洋 ;

刘文富 .

中国专利 :CN113885081A ,2022-01-04

[9]

三维沟槽硅电极探测器及其制备方法 [P].

刘美萍 ;

唐勇 ;

白柳杨 ;

李景富 ;

李福荣 .

中国专利 :CN115663039A ,2023-01-31

[10]

可变中心收集电极的三维沟槽电极硅探测器 [P].

李正 ;

廖川 ;

唐立鹏 ;

张亚 .

中国专利 :CN106449802B ,2017-02-22

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