忆阻器及其制备方法、芯片和电子设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411046110.1

申请日：

2024-07-31

公开(公告)号：

CN119031827A

公开(公告)日：

2024-11-26

发明(设计)人：

李叶生熊遥

申请人：

武汉大学

申请人地址：

430072 湖北省武汉市武昌珞珈山

IPC主分类号：

H10N70/20

IPC分类号：

H10N70/00 H10B63/00

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

尹璐

法律状态：

公开

国省代码：

湖北省武汉市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-26	公开	公开
2024-12-13	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 70/20申请日:20240731

共 50 条

[1]

忆阻器、制备方法和电子设备 [P].

单玉凤 ;

阮罗渊 ;

白石根 ;

林虹宇 ;

宋睿烜 ;

杜瑀 ;

邓惠勇 ;

戴宁 .

中国专利 :CN117729778A ,2024-03-19

[2]

忆阻器及其制备方法 [P].

罗先刚 ;

周云霞 ;

李雄 .

中国专利 :CN120693056A ,2025-09-23

[3]

忆阻器制备方法、忆阻器及设备 [P].

刘碧录 ;

陈文骏 ;

张荣杰 ;

郑荣戌 .

中国专利 :CN113675336A ,2021-11-19

[4]

忆阻器及其制备方法、应用 [P].

张兆华 ;

庄腾飞 ;

林鼎 .

中国专利 :CN114497367A ,2022-05-13

[5]

非易失压电忆阻器电子设备及其控制方法 [P].

郑辞晏 ;

武闽哲 ;

周其超 .

中国专利 :CN120930661A ,2025-11-11

[6]

一种忆阻器及其制备方法 [P].

李祎 ;

任升广 ;

左文彬 ;

缪向水 .

中国专利 :CN115224193B ,2024-08-06

[7]

忆阻器及其制备方法 [P].

冯雪 ;

孟艳芳 ;

马寅佶 .

中国专利 :CN113555502A ,2021-10-26

[8]

忆阻器及其制备方法 [P].

宫勇吉 ;

韦钧天 ;

何倩倩 ;

王蕾 .

中国专利 :CN117396062A ,2024-01-12

[9]

忆阻器及其制备方法 [P].

吴华强 ;

钱鹤 ;

李辛毅 .

中国专利 :CN114256289A ,2022-03-29

[10]

忆阻器及其制备方法 [P].

何南 ;

堵大为 ;

童祎 .

中国专利 :CN111900249A ,2020-11-06

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