一种表面镀覆碳化硅的金刚石及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411180184.4
申请日
2024-08-27
公开(公告)号
CN119061399A
公开(公告)日
2024-12-03
发明(设计)人
李俊国 江峰 赵晨含 李美娟 张建 沈强
申请人
武汉理工大学
申请人地址
430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
IPC主分类号
C23C26/00
IPC分类号
代理机构
湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102
代理人
李艳景
法律状态
实质审查的生效
国省代码
湖北省 武汉市
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共 50 条
[1]
碳化硅基CVD金刚石涂层的制备方法及碳化硅基 [P]. 
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蒋梦婷 ;
欧阳晓平 .
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[2]
金刚石-碳化硅基板及其制备方法与应用 [P]. 
何新波 ;
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何十三 ;
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[3]
一种金刚石-碳化硅复合陶瓷及其制备方法 [P]. 
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王松娟 ;
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[4]
一种碳化硅及纳米金刚石/碳化硅异质结的制备方法 [P]. 
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盛凌霄 ;
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[5]
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张旺玺 ;
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[6]
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[7]
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[8]
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桑建权 ;
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赵娟刚 ;
罗钦文 ;
姚鋆曦 ;
徐静竹 ;
刘春泉 ;
黄建平 .
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[9]
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范才河 ;
胡泽艺 ;
李普宇 ;
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罗益超 ;
赵学远 ;
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[10]
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