一种碳化硅晶体生长炉炉壁结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202420116021.9

申请日：

2024-01-17

公开(公告)号：

CN221940687U

公开(公告)日：

2024-11-01

发明(设计)人：

姚恒姚泰

申请人：

芜湖予秦半导体科技有限公司

申请人地址：

241000 安徽省芜湖市弋江区芜湖高新技术产业开发区长江南路166号

IPC主分类号：

C30B23/00

IPC分类号：

C30B29/36

代理机构：

深圳创智果专利代理事务所(普通合伙) 33278

代理人：

李丹

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省芜湖市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-01	授权	授权

共 50 条

[1]

碳化硅晶体生长炉 [P].

胡家乐 .

中国专利 :CN221626443U ,2024-08-30

[2]

一种碳化硅晶体生长炉 [P].

李晓峰 .

中国专利 :CN223255528U ,2025-08-22

[3]

碳化硅晶体生长炉 [P].

高冰 .

中国专利 :CN115094513A ,2022-09-23

[4]

碳化硅晶体生长炉 [P].

黄鸣 ;

丁文革 ;

谭三成 ;

曹永新 .

中国专利 :CN102877133B ,2013-01-16

[5]

碳化硅晶体生长炉 [P].

刘鹏 ;

徐文立 ;

胡建宇 ;

余圣杰 .

中国专利 :CN307653137S ,2022-11-11

[6]

一种碳化硅晶体生长检测装置、方法及碳化硅晶体生长炉 [P].

皮孝东 ;

沈典宇 ;

王蓉 ;

王芸霞 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN114371223B ,2022-04-19

[7]

一种碳化硅晶体生长炉和碳化硅晶体生长方法 [P].

范涛礼 ;

陈建明 ;

蔡金荣 ;

张江涛 ;

赵文超 .

中国专利 :CN118272918B ,2024-10-11

[8]

一种碳化硅晶体生长炉和碳化硅晶体生长方法 [P].

范涛礼 ;

陈建明 ;

蔡金荣 ;

张江涛 ;

赵文超 .

中国专利 :CN118272918A ,2024-07-02

[9]

碳化硅晶体生长用坩埚和碳化硅晶体生长装置 [P].

徐良 ;

曹力力 ;

蓝文安 ;

朱卫祥 ;

阳明益 ;

刘建哲 ;

余雅俊 .

中国专利 :CN210974929U ,2020-07-10

[10]

碳化硅晶体生长用坩埚及碳化硅晶体生长装置 [P].

徐良 ;

蓝文安 ;

刘建哲 ;

余雅俊 ;

李京波 ;

夏建白 ;

陈素春 .

中国专利 :CN215404657U ,2022-01-04

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