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组合物、半导体元件的制造方法、半导体基板的清洗方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202380027055.9
申请日
:
2023-03-16
公开(公告)号
:
CN118922917A
公开(公告)日
:
2024-11-08
发明(设计)人
:
稻叶正
室祐继
上村哲也
大内直子
申请人
:
富士胶片株式会社
申请人地址
:
日本
IPC主分类号
:
H01L21/304
IPC分类号
:
C11D3/48
C11D7/26
C11D7/32
C11D7/36
代理机构
:
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人
:
薛海蛟
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-11-26
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/304申请日:20230316
2024-11-08
公开
公开
共 50 条
[1]
清洗组合物、半导体基板的清洗方法、半导体元件的制造方法
[P].
室祐继
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
富士胶片株式会社
富士胶片株式会社
室祐继
;
稻叶正
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机构:
富士胶片株式会社
富士胶片株式会社
稻叶正
;
上村哲也
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机构:
富士胶片株式会社
富士胶片株式会社
上村哲也
.
日本专利
:CN117441226A
,2024-01-23
[2]
清洗组合物、半导体基板的清洗方法以及半导体元件的制造方法
[P].
室祐继
论文数:
0
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0
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机构:
富士胶片株式会社
富士胶片株式会社
室祐继
;
稻叶正
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机构:
富士胶片株式会社
富士胶片株式会社
稻叶正
;
上村哲也
论文数:
0
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机构:
富士胶片株式会社
富士胶片株式会社
上村哲也
.
日本专利
:CN117397010B
,2024-07-19
[3]
清洗组合物、半导体基板的清洗方法以及半导体元件的制造方法
[P].
室祐继
论文数:
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机构:
富士胶片株式会社
富士胶片株式会社
室祐继
;
稻叶正
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机构:
富士胶片株式会社
富士胶片株式会社
稻叶正
;
上村哲也
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机构:
富士胶片株式会社
富士胶片株式会社
上村哲也
.
日本专利
:CN117397010A
,2024-01-12
[4]
半导体基板的制造方法、半导体元件的制造方法、半导体基板以及半导体元件
[P].
佐藤宪
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佐藤宪
;
鹿内洋志
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鹿内洋志
;
后藤博一
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后藤博一
;
篠宫胜
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篠宫胜
;
土屋庆太郎
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土屋庆太郎
;
萩本和德
论文数:
0
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萩本和德
.
中国专利
:CN106165073B
,2016-11-23
[5]
半导体基板、半导体元件以及半导体基板的制造方法
[P].
仓又朗人
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仓又朗人
;
渡边信也
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渡边信也
;
佐佐木公平
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佐佐木公平
;
八木邦明
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八木邦明
;
八田直记
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八田直记
;
东胁正高
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东胁正高
;
小西敬太
论文数:
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小西敬太
.
中国专利
:CN110869543A
,2020-03-06
[6]
半导体基板清洗用组合物、半导体基板的清洗方法、及半导体基板的制造方法
[P].
河合隆一郎
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机构:
三菱瓦斯化学株式会社
三菱瓦斯化学株式会社
河合隆一郎
;
窟江宏彰
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机构:
三菱瓦斯化学株式会社
三菱瓦斯化学株式会社
窟江宏彰
;
茂田麻里
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机构:
三菱瓦斯化学株式会社
三菱瓦斯化学株式会社
茂田麻里
;
岛田宪司
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机构:
三菱瓦斯化学株式会社
三菱瓦斯化学株式会社
岛田宪司
.
日本专利
:CN119452454A
,2025-02-14
[7]
半导体元件的制造方法及半导体基板
[P].
荻原光彦
论文数:
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0
荻原光彦
.
中国专利
:CN112740359B
,2021-04-30
[8]
半导体元件的制造方法及半导体基板
[P].
荻原光彦
论文数:
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机构:
株式会社菲尔尼克斯
株式会社菲尔尼克斯
荻原光彦
.
日本专利
:CN113690184B
,2024-11-12
[9]
半导体基板及其制造方法以及半导体元件的制造方法
[P].
荻原光彦
论文数:
0
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荻原光彦
.
中国专利
:CN113169049B
,2021-07-23
[10]
半导体基板的蚀刻方法及半导体元件的制造方法
[P].
西胁良典
论文数:
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西胁良典
;
上村哲也
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上村哲也
;
稲叶正
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稲叶正
;
水谷笃史
论文数:
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水谷笃史
.
中国专利
:CN104813451A
,2015-07-29
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