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晶圆边缘曝光方法、装置和光刻设备
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411327221.X
申请日
:
2024-09-23
公开(公告)号
:
CN118981150A
公开(公告)日
:
2024-11-19
发明(设计)人
:
张弓玉帛
杨慧
张孟龙
钭诗恩
金港杰
付涛
申请人
:
芯联集成电路制造股份有限公司
申请人地址
:
312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号
IPC主分类号
:
G03F9/00
IPC分类号
:
G03F7/20
代理机构
:
北京磐华捷成知识产权代理有限公司 11851
代理人
:
于沈阳
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-11-19
公开
公开
2024-12-06
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):G03F 9/00申请日:20240923
共 50 条
[1]
一种晶圆边缘曝光装置、方法及光刻设备
[P].
梁学玉
论文数:
0
引用数:
0
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0
梁学玉
.
中国专利
:CN113759654A
,2021-12-07
[2]
晶圆边缘曝光结构、方法和设备以及晶圆光刻方法
[P].
王红福
论文数:
0
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0
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0
王红福
;
苏少明
论文数:
0
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0
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0
苏少明
;
赵开乾
论文数:
0
引用数:
0
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0
赵开乾
.
中国专利
:CN115440611A
,2022-12-06
[3]
调节装置、晶圆曝光设备及晶圆边缘曝光方法
[P].
温建胜
论文数:
0
引用数:
0
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0
温建胜
.
中国专利
:CN112835264A
,2021-05-25
[4]
晶圆边缘曝光系统及方法
[P].
崔栽荣
论文数:
0
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0
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0
崔栽荣
;
贺晓彬
论文数:
0
引用数:
0
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0
贺晓彬
;
杨涛
论文数:
0
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0
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0
杨涛
;
刘金彪
论文数:
0
引用数:
0
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0
刘金彪
;
李亭亭
论文数:
0
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0
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0
李亭亭
.
中国专利
:CN114355731A
,2022-04-15
[5]
晶圆边缘曝光系统及方法
[P].
崔栽荣
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
崔栽荣
;
贺晓彬
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
贺晓彬
;
杨涛
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
杨涛
;
刘金彪
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
刘金彪
;
李亭亭
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
李亭亭
.
中国专利
:CN114355731B
,2024-07-02
[6]
晶圆边缘曝光方法、晶圆边缘曝光装置及掩膜板
[P].
陈琦南
论文数:
0
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0
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0
陈琦南
.
中国专利
:CN113433799B
,2021-09-24
[7]
边缘曝光装置、晶圆结构及其形成方法
[P].
刘伟
论文数:
0
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0
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0
刘伟
;
张书庆
论文数:
0
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0
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张书庆
;
刘细桥
论文数:
0
引用数:
0
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0
刘细桥
.
中国专利
:CN108535963A
,2018-09-14
[8]
晶圆边缘曝光工艺的检测方法
[P].
甘志锋
论文数:
0
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0
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0
甘志锋
;
沈悦
论文数:
0
引用数:
0
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0
沈悦
;
卢子轩
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
卢子轩
.
中国专利
:CN103307983B
,2013-09-18
[9]
晶圆边缘部分的处理方法和装置
[P].
金德植
论文数:
0
引用数:
0
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0
金德植
;
申元权
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
申元权
.
中国专利
:CN102856224B
,2013-01-02
[10]
边缘抛光头、晶圆边缘抛光装置和晶圆边缘抛光方法
[P].
梅晓熙
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
英特尔NDTM美国有限公司
英特尔NDTM美国有限公司
梅晓熙
;
张世凯
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
英特尔NDTM美国有限公司
英特尔NDTM美国有限公司
张世凯
;
常福佳
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
英特尔NDTM美国有限公司
英特尔NDTM美国有限公司
常福佳
.
美国专利
:CN119820448A
,2025-04-15
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