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一种宽带差分驱动电光调制器芯片
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411251849.6
申请日
:
2024-09-09
公开(公告)号
:
CN118778324B
公开(公告)日
:
2024-12-10
发明(设计)人
:
李甲
张晨
李科
王磊
李志远
申请人
:
鹏城实验室
申请人地址
:
518000 广东省深圳市南山区兴科一街2号
IPC主分类号
:
G02F1/225
IPC分类号
:
G02F1/21
G02F1/01
代理机构
:
深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287
代理人
:
李俊杰
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-12-10
授权
授权
2024-11-01
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):G02F 1/225申请日:20240909
2024-10-15
公开
公开
共 50 条
[1]
一种宽带差分驱动电光调制器芯片
[P].
李甲
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机构:
鹏城实验室
鹏城实验室
李甲
;
张晨
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鹏城实验室
鹏城实验室
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;
李科
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鹏城实验室
鹏城实验室
李科
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王磊
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鹏城实验室
鹏城实验室
王磊
;
李志远
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机构:
鹏城实验室
鹏城实验室
李志远
.
中国专利
:CN118778324A
,2024-10-15
[2]
一种差分驱动薄膜铌酸锂电光调制器芯片
[P].
李甲
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鹏城实验室
鹏城实验室
李甲
;
岳夫永
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鹏城实验室
鹏城实验室
岳夫永
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王磊
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鹏城实验室
鹏城实验室
王磊
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李志远
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鹏城实验室
鹏城实验室
李志远
.
中国专利
:CN117991524A
,2024-05-07
[3]
一种差分驱动薄膜铌酸锂电光调制器芯片
[P].
李甲
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鹏城实验室
鹏城实验室
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鹏城实验室
鹏城实验室
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王磊
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鹏城实验室
鹏城实验室
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李志远
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鹏城实验室
鹏城实验室
李志远
.
中国专利
:CN117991524B
,2024-07-30
[4]
一种推挽差分驱动薄膜铌酸锂电光调制器芯片
[P].
李甲
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鹏城实验室
鹏城实验室
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鹏城实验室
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鹏城实验室
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鹏城实验室
鹏城实验室
李志远
.
中国专利
:CN118131514A
,2024-06-04
[5]
一种双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片
[P].
李甲
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鹏城实验室
鹏城实验室
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鹏城实验室
鹏城实验室
李志远
.
中国专利
:CN117991526A
,2024-05-07
[6]
一种双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片
[P].
李甲
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鹏城实验室
鹏城实验室
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.
中国专利
:CN117991526B
,2024-06-18
[7]
一种折叠型双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片
[P].
李甲
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鹏城实验室
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李志远
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机构:
鹏城实验室
鹏城实验室
李志远
.
中国专利
:CN117991525B
,2024-06-18
[8]
一种极简推挽差分驱动薄膜铌酸锂电光调制器芯片
[P].
李甲
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鹏城实验室
鹏城实验室
李志远
.
中国专利
:CN118151416A
,2024-06-07
[9]
一种折叠型双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片
[P].
李甲
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机构:
鹏城实验室
鹏城实验室
李志远
.
中国专利
:CN117991525A
,2024-05-07
[10]
用于线性电光平台的差分驱动调制器结构
[P].
M·雅克
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机构:
西纳公司
西纳公司
M·雅克
;
G·布鲁克斯
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西纳公司
西纳公司
G·布鲁克斯
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M·维蒂克
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西纳公司
M·维蒂克
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A·西马德
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西纳公司
A·西马德
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D·麦根
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西纳公司
D·麦根
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Y·高
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机构:
西纳公司
西纳公司
Y·高
.
美国专利
:CN120584313A
,2025-09-02
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