一种制备半绝缘氮化镓衬底的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311215007.0

申请日：

2023-09-19

公开(公告)号：

CN117423612B

公开(公告)日：

2024-12-03

发明(设计)人：

刘新科王敏秦宏志张冠张黎晓华贺威朱德亮

申请人：

深圳大学

申请人地址：

518060 广东省深圳市南山区粤海街道南海大道3688号

IPC主分类号：

H01L21/228

IPC分类号：

H01L21/335 H01L21/02

代理机构：

深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312

代理人：

钟连发

法律状态：

授权

国省代码：

广东省佛山市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-03	授权	授权
2024-02-06	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/228申请日:20230919
2024-01-19	公开	公开

共 50 条

[1]

一种制备半绝缘氮化镓衬底的方法 [P].

刘新科 ;

王敏 ;

秦宏志 ;

张冠张 ;

黎晓华 ;

贺威 ;

朱德亮 .

中国专利 :CN117423612A ,2024-01-19

[2]

一种氧化镓半绝缘衬底的制备方法及氧化镓半绝缘衬底 [P].

刘新科 ;

李一阳 ;

范康凯 ;

钟智祥 ;

陈春燕 ;

黎晓华 ;

王铠丰 ;

何军 ;

刘河洲 .

中国专利 :CN121006618A ,2025-11-25

[3]

一种质子辐照实现氮化镓半绝缘衬底的方法 [P].

刘新科 ;

杨永凯 ;

朱曦 ;

范康凯 ;

黎晓华 ;

贺威 ;

刘河洲 .

中国专利 :CN119372788A ,2025-01-28

[4]

制备用于生长氮化镓的衬底和制备氮化镓衬底的方法 [P].

金容进 ;

金知勋 ;

李东键 ;

金杜洙 ;

李浩准 .

中国专利 :CN101388338B ,2009-03-18

[5]

一种具有绝缘衬底的氮化镓单片集成半桥 [P].

李祥东 ;

余露 ;

游淑珍 ;

陈耀明 ;

夏浩南 ;

陈亮 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN222146235U ,2024-12-10

[6]

高效制备氮化镓衬底的方法 [P].

修向前 ;

李悦文 ;

张荣 ;

谢自力 ;

陈鹏 ;

刘斌 ;

郑有炓 ;

李红梅 .

中国专利 :CN112259446A ,2021-01-22

[7]

氮化镓单晶衬底的制备方法 [P].

卢敬权 ;

庄文荣 ;

孙明 .

中国专利 :CN111769036A ,2020-10-13

[8]

氮化镓单晶衬底的制备方法 [P].

卢敬权 ;

庄文荣 ;

孙明 .

中国专利 :CN111681946B ,2020-09-18

[9]

氮化镓衬底、氮化镓单晶层及其制造方法 [P].

张林 ;

魏曙亮 .

中国专利 :CN114892264A ,2022-08-12

[10]

氮化镓衬底、氮化镓单晶层及其制造方法 [P].

张林 ;

魏曙亮 .

中国专利 :CN115233309B ,2024-01-12

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