一种具有绝缘衬底的氮化镓单片集成半桥

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202420006230.8

申请日：

2024-01-02

公开(公告)号：

CN222146235U

公开(公告)日：

2024-12-10

发明(设计)人：

李祥东余露游淑珍陈耀明夏浩南陈亮张进成郝跃

申请人：

西安电子科技大学

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L27/12

IPC分类号：

H02M1/00

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

万艳艳

法律状态：

授权

国省代码：

陕西省西安市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-10	授权	授权

共 50 条

[1]

一种制备半绝缘氮化镓衬底的方法 [P].

刘新科 ;

王敏 ;

秦宏志 ;

张冠张 ;

黎晓华 ;

贺威 ;

朱德亮 .

中国专利 :CN117423612B ,2024-12-03

[2]

一种制备半绝缘氮化镓衬底的方法 [P].

刘新科 ;

王敏 ;

秦宏志 ;

张冠张 ;

黎晓华 ;

贺威 ;

朱德亮 .

中国专利 :CN117423612A ,2024-01-19

[3]

一种氮化镓半桥模块 [P].

贾润杰 ;

鄢胜虎 ;

郑晓颖 ;

张耀 .

中国专利 :CN220672562U ,2024-03-26

[4]

一种具有短路保护的氮化镓晶体管半桥电路 [P].

叶念慈 ;

刘洋 ;

刘成 ;

何俊蕾 .

中国专利 :CN214337546U ,2021-10-01

[5]

一种单片集成氮化镓芯片 [P].

傅玥 ;

孔令涛 .

中国专利 :CN216490435U ,2022-05-10

[6]

一种氮化镓半桥模块 [P].

傅玥 ;

孔令涛 .

中国专利 :CN215420956U ,2022-01-04

[7]

一种氧化镓半绝缘衬底的制备方法及氧化镓半绝缘衬底 [P].

刘新科 ;

李一阳 ;

范康凯 ;

钟智祥 ;

陈春燕 ;

黎晓华 ;

王铠丰 ;

何军 ;

刘河洲 .

中国专利 :CN121006618A ,2025-11-25

[8]

全氮化镓集成的半桥电路、芯片以及电子设备 [P].

李祥东 ;

张远航 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119921543A ,2025-05-02

[9]

一种质子辐照实现氮化镓半绝缘衬底的方法 [P].

刘新科 ;

杨永凯 ;

朱曦 ;

范康凯 ;

黎晓华 ;

贺威 ;

刘河洲 .

中国专利 :CN119372788A ,2025-01-28

[10]

一种硅基氮化镓单片集成电路 [P].

刘志宏 ;

黎培森 ;

李蔚然 ;

周瑾 ;

邢伟川 ;

李祥东 ;

赵胜雷 ;

周弘 ;

张苇杭 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113990867A ,2022-01-28

← 1 2 3 4 5 →