全氮化镓集成的半桥电路、芯片以及电子设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411980501.0

申请日：

2024-12-31

公开(公告)号：

CN119921543A

公开(公告)日：

2025-05-02

发明(设计)人：

李祥东张远航张进成郝跃

申请人：

西安电子科技大学西安电子科技大学广州研究院

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H02M1/08

IPC分类号：

H02M1/088 H02M1/38 H02M1/00 H02H7/12 H02H3/10 H02H3/20 H02H3/24 H03K17/081 H03K17/60

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

王萌

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H02M 1/08申请日:20241231
2025-05-02	公开	公开

共 50 条

[1]

带有死区时间控制的全氮化镓集成驱动电路、芯片及设备 [P].

李祥东 ;

张远航 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119921746A ,2025-05-02

[2]

一种应用于氮化镓全集成半桥功率芯片的高侧驱动电路 [P].

祝靖 ;

陈禹霖 ;

袁伟民 ;

薛博文 ;

郑逸飞 ;

董千恒 ;

孙伟锋 .

中国专利 :CN120811356A ,2025-10-17

[3]

晶体管驱动电路、半桥驱动电路、芯片及电子设备 [P].

王楠 ;

陈旭 ;

王雨晨 ;

冯林 .

中国专利 :CN119543616A ,2025-02-28

[4]

一种用于氮化镓半桥驱动芯片的快速响应动态死区时间控制电路 [P].

祝靖 ;

樊响 ;

董千恒 ;

杜雨琪 ;

郑逸飞 ;

孙伟锋 .

中国专利 :CN121193067A ,2025-12-23

[5]

集成氮化镓及氧化镓功率芯片及其制备方法、电子设备 [P].

邢志恒 ;

杨少鑫 ;

张智鑫 ;

卓祥景 ;

林忠宝 .

中国专利 :CN119421482A ,2025-02-11

[6]

合封氮化镓功率器件的半桥拓扑集成方法和芯片 [P].

赵少峰 ;

程兆辉 ;

孙经纬 .

中国专利 :CN114783993A ,2022-07-22

[7]

合封氮化镓功率器件的半桥拓扑集成方法和芯片 [P].

赵少峰 ;

程兆辉 ;

孙经纬 .

中国专利 :CN114783993B ,2025-07-11

[8]

一种面向氮化镓晶体管的半桥负压驱动电路 [P].

高圣伟 ;

田金锐 ;

牛萍娟 .

中国专利 :CN115411913A ,2022-11-29

[9]

一种基于氮化镓晶体管的全桥LLC电路 [P].

王广 ;

邢博 ;

张建彪 .

中国专利 :CN220914987U ,2024-05-07

[10]

一种用于半桥型氮化镓驱动电路的电平移位电路 [P].

田瑶 ;

熊张良 ;

李兵 ;

花峰 .

中国专利 :CN120223059A ,2025-06-27

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