带有死区时间控制的全氮化镓集成驱动电路、芯片及设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411980502.5

申请日：

2024-12-31

公开(公告)号：

CN119921746A

公开(公告)日：

2025-05-02

发明(设计)人：

李祥东张远航张进成郝跃

申请人：

西安电子科技大学西安电子科技大学广州研究院

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H03K17/28

IPC分类号：

H03K17/60

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

王丹

法律状态：

公开

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-02	公开	公开
2025-05-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H03K 17/28申请日:20241231

共 50 条

[1]

一种带有死区时间控制的全GaN集成栅驱动电路 [P].

周琦 ;

韩晓琦 ;

党其亮 ;

罗志华 ;

邓超 .

中国专利 :CN113162373B ,2021-07-23

[2]

全氮化镓集成的半桥电路、芯片以及电子设备 [P].

李祥东 ;

张远航 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119921543A ,2025-05-02

[3]

集成驱动电路的多芯片并联氮化镓功率模块 [P].

曾正 ;

邹铭锐 ;

王明强 ;

丁顺 ;

陈迎 .

中国专利 :CN119230506A ,2024-12-31

[4]

一种用于氮化镓半桥驱动芯片的快速响应动态死区时间控制电路 [P].

祝靖 ;

樊响 ;

董千恒 ;

杜雨琪 ;

郑逸飞 ;

孙伟锋 .

中国专利 :CN121193067A ,2025-12-23

[5]

集成过压保护的氮化镓器件驱动电路 [P].

朱昱豪 ;

崔苗 ;

方志成 ;

苏昊东 ;

刘雯 .

中国专利 :CN114024541A ,2022-02-08

[6]

集成过压保护的氮化镓器件驱动电路 [P].

朱昱豪 ;

崔苗 ;

方志成 ;

苏昊东 ;

刘雯 .

中国专利 :CN114024541B ,2025-01-03

[7]

集成于双通道栅极驱动芯片的死区时间控制电路 [P].

柳婧 ;

傅俊寅 ;

黄辉 ;

王伟 ;

汪之涵 .

中国专利 :CN114567157A ,2022-05-31

[8]

集成于双通道栅极驱动芯片的死区时间控制电路 [P].

柳婧 ;

傅俊寅 ;

黄辉 ;

王伟 ;

汪之涵 .

中国专利 :CN216774612U ,2022-06-17

[9]

集成于双通道栅极驱动芯片的死区时间控制电路 [P].

柳婧 ;

傅俊寅 ;

黄辉 ;

王伟 ;

汪之涵 .

中国专利 :CN114567157B ,2024-11-29

[10]

一种氮化镓电源驱动控制电路 [P].

詹海峰 ;

赵智星 ;

谢峰 ;

冷昭君 ;

万威 ;

黄玲军 .

中国专利 :CN119109296A ,2024-12-10

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