制备碳包裹硅纳米微粒的方法及系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411353990.7

申请日：

2024-09-27

公开(公告)号：

CN118888736B

公开(公告)日：

2024-11-29

发明(设计)人：

李裔红

申请人：

成都金创立科技有限责任公司

申请人地址：

610506 四川省成都市新都区斑竹园镇鸦雀口社区四社

IPC主分类号：

H01M4/36

IPC分类号：

H01M4/38 H01M4/62 B82Y30/00

代理机构：

成都睿道专利代理事务所(普通合伙) 51217

代理人：

胡可

法律状态：

公开

国省代码：

安徽省六安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-01	公开	公开
2024-11-29	授权	授权
2024-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01M 4/36申请日:20240927

共 50 条

[1]

制备碳包裹硅纳米微粒的方法及系统 [P].

李裔红 .

中国专利 :CN118888736A ,2024-11-01

[2]

用于硅碳负极的纳米硅掺杂多孔碳、其制备方法、硅碳负极材料及电池 [P].

金闯 ;

刘保根 ;

曹闯 .

中国专利 :CN121180972A ,2025-12-23

[3]

碳材料制备装置及制备方法 [P].

李裔红 ;

廖进 .

中国专利 :CN119869395B ,2025-06-03

[4]

碳材料制备装置及制备方法 [P].

李裔红 ;

廖进 .

中国专利 :CN119869395A ,2025-04-25

[5]

一种制备致密包覆的硅碳纳米复合材料的方法 [P].

王熙 ;

刘洋 ;

梁奇锋 ;

杨一君 ;

周云瞻 .

中国专利 :CN109873132A ,2019-06-11

[6]

石墨烯包覆纳米硅及制备方法、硅碳负极材料及制备方法 [P].

李能 ;

王志勇 ;

皮涛 .

中国专利 :CN111785945A ,2020-10-16

[7]

硅碳负极及制备方法、硅碳负极材料的制备方法、锂电池 [P].

张帅国 .

中国专利 :CN119627073A ,2025-03-14

[8]

多孔碳、硅碳负极材料，及多孔碳的制备方法 [P].

栗广奉 ;

郑安雄 ;

张鹏飞 ;

阮愉悦 ;

孔祥云 .

中国专利 :CN115676825A ,2023-02-03

[9]

多孔碳及其制备方法、硅碳负极材料、硅碳负极材料的制备方法 [P].

栗广奉 ;

孔祥云 ;

郑安雄 ;

阮愉悦 .

中国专利 :CN117776183B ,2024-11-15

[10]

多孔碳及其制备方法、硅碳负极材料、硅碳负极材料的制备方法 [P].

栗广奉 ;

郑安雄 ;

张鹏飞 ;

阮愉悦 ;

孔祥云 .

中国专利 :CN117776183A ,2024-03-29

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