半导体器件及其沟槽栅结构的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011416328.3

申请日：

2020-12-04

公开(公告)号：

CN112542387B

公开(公告)日：

2024-11-26

发明(设计)人：

尹率宋彦松方宇景晓娟黄留敏周源王玉

申请人：

北京燕东微电子科技有限公司

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号1幢4层4D15

IPC主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/423

代理机构：

北京成创同维知识产权代理有限公司 11449

代理人：

蔡纯;杨思雨

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省宣城市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-26	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其沟槽栅结构的制造方法 [P].

尹率 ;

宋彦松 ;

方宇 ;

景晓娟 ;

黄留敏 ;

周源 ;

王玉 .

中国专利 :CN112542387A ,2021-03-23

[2]

沟槽栅半导体器件及其制造方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN121126804A ,2025-12-12

[3]

沟槽栅半导体器件及其制造方法 [P].

高博 ;

黄伯宁 ;

唐龙谷 ;

张毅 ;

周锋 ;

胡飞 .

中国专利 :CN116072712B ,2025-11-25

[4]

沟槽栅半导体器件及其制造方法 [P].

杨继业 ;

赵龙杰 ;

李昊 .

中国专利 :CN110739347A ,2020-01-31

[5]

具有沟槽栅结构的半导体器件及其制造方法 [P].

青木孝明 .

中国专利 :CN1527369A ,2004-09-08

[6]

沟槽栅半导体器件的制造方法 [P].

李昊 .

中国专利 :CN114023648A ,2022-02-08

[7]

沟槽栅半导体器件及其制造方法 [P].

韩健 .

中国专利 :CN110190112A ,2019-08-30

[8]

沟槽栅半导体器件及其制造方法 [P].

李昊 .

中国专利 :CN112701163A ,2021-04-23

[9]

沟槽－栅半导体器件及其制造方法 [P].

E·黄 ;

M·德罗尼斯 ;

M·J·希尔 ;

R·J·E·胡廷 .

中国专利 :CN1586010A ,2005-02-23

[10]

沟槽栅半导体器件及其制造方法 [P].

李昊 .

中国专利 :CN112701164A ,2021-04-23

← 1 2 3 4 5 →