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MOS场效应管栅极驱动方法、装置、设备及存储介质

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411527361.1
申请日：
2024-10-30
公开(公告)号：
CN119051642A
公开(公告)日：
2024-11-29
发明(设计)人：
苏玫树 苏奕翰
申请人：
深圳市固得沃克电子有限公司
申请人地址：
518000 广东省深圳市龙华区民治街道北站社区民治股份商业中心C座1006-1010
IPC主分类号：
H03K17/687
IPC分类号：
H03K17/14
代理机构：
深圳市汇信知识产权代理有限公司 44477
代理人：
张志凯
法律状态：
授权
国省代码：
广东省 深圳市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-02-11 授权 授权
2024-12-17 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H03K 17/687申请日:20241030
2024-11-29 公开 公开
共 50 条
[1]
MOS场效应管栅极驱动方法、装置、设备及存储介质 [P]. 
苏玫树 ;
苏奕翰 .
中国专利 :CN119051642B ,2025-02-11
[2]
MOS场效应管阈值电压调节方法、装置、设备及存储介质 [P]. 
苏玫树 ;
苏奕翰 .
中国专利 :CN119065446B ,2025-02-11
[3]
MOS场效应管阈值电压调节方法、装置、设备及存储介质 [P]. 
苏玫树 ;
苏奕翰 .
中国专利 :CN119065446A ,2024-12-03
[4]
功率MOS场效应管 [P]. 
黄彦智 ;
俞仲威 .
中国专利 :CN213583797U ,2021-06-29
[5]
MOS场效应管的失效物理模型迁移学习方法、存储介质及设备 [P]. 
叶雪荣 ;
郭子剑 ;
王辰一 ;
冯超 ;
林轩羽 ;
田济羽 ;
陈昊 ;
陈岑 ;
翟国富 .
中国专利 :CN119647380B ,2025-10-14
[6]
MOS场效应管的失效物理模型迁移学习方法、存储介质及设备 [P]. 
叶雪荣 ;
郭子剑 ;
王辰一 ;
冯超 ;
林轩羽 ;
田济羽 ;
陈昊 ;
陈岑 ;
翟国富 .
中国专利 :CN119647380A ,2025-03-18
[7]
场效应管驱动电路 [P]. 
崔英杰 ;
邓兴培 ;
张广 ;
申立锋 .
中国专利 :CN206332606U ,2017-07-14
[8]
高效功率MOS场效应管 [P]. 
钟惠生 ;
李冰 .
中国专利 :CN215834514U ,2022-02-15
[9]
高效功率MOS场效应管 [P]. 
黄彦智 ;
陆佳顺 ;
杨洁雯 .
中国专利 :CN208385417U ,2019-01-15
[10]
一种MOS场效应管驱动电路及控制方法 [P]. 
林德桂 ;
来健 ;
李荣焕 ;
胡民秦 ;
陈长林 .
中国专利 :CN112886798B ,2021-06-01
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