一种导模法生长氧化镓晶体的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411129333.4

申请日：

2024-08-15

公开(公告)号：

CN118996611A

公开(公告)日：

2024-11-22

发明(设计)人：

夏宁王琤

申请人：

杭州镓仁半导体有限公司

申请人地址：

311202 浙江省杭州市萧山区宁围街道建设三路733号信息港五期一号楼205-62

IPC主分类号：

C30B15/34

IPC分类号：

C30B29/16 C30B15/20 C30B15/30

代理机构：

北京高沃律师事务所 11569

代理人：

吴若楠

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 15/34申请日:20240815
2024-11-22	公开	公开

共 50 条

[1]

导模法生长氧化镓晶体的装置及氧化镓晶体的生长方法 [P].

齐红基 ;

邓淇元 ;

秦娟 .

中国专利 :CN120330874A ,2025-07-18

[2]

一种导模法生长氧化镓晶体的方法 [P].

齐红基 ;

陈端阳 ;

赛青林 .

中国专利 :CN113957519B ,2022-01-21

[3]

一种导模法生长氧化镓晶体的方法 [P].

齐红基 ;

赛青林 ;

陈端阳 .

中国专利 :CN114086244B ,2022-02-25

[4]

一种导模法生长氧化镓晶体的生长装置 [P].

齐红基 ;

赛青林 .

中国专利 :CN215976134U ,2022-03-08

[5]

导模法生长片状氧化镓晶体的方法 [P].

尹继刚 ;

杭寅 ;

张连翰 ;

何明珠 .

中国专利 :CN103290471A ,2013-09-11

[6]

一种导模法生长大尺寸氧化镓晶体的方法及生长模具 [P].

王英民 ;

霍晓青 ;

王健 ;

张胜男 ;

李宝珠 ;

郝建民 ;

程红娟 ;

周金杰 .

中国专利 :CN117552091A ,2024-02-13

[7]

一种导模法生长氧化镓晶体的生长装置与生长方法 [P].

齐红基 ;

赛青林 .

中国专利 :CN112877770A ,2021-06-01

[8]

一种导模法生长氧化镓晶体的模具与生长方法 [P].

刘皓月 ;

秦娟 ;

齐红基 ;

何林波 .

中国专利 :CN118854435A ,2024-10-29

[9]

一种导模法生长大尺寸氧化镓晶体的模具 [P].

齐红基 ;

赛青林 ;

张龙 .

中国专利 :CN214458442U ,2021-10-22

[10]

一种基于导模法生长装置的氧化镓晶体生长方法 [P].

陈端阳 ;

齐红基 ;

赛青林 .

中国专利 :CN113957529A ,2022-01-21

← 1 2 3 4 5 →