气体阻隔膜用材料、氧化硅膜和氧化硅膜的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380026199.2

申请日：

2023-07-13

公开(公告)号：

CN118843711A

公开(公告)日：

2024-10-25

发明(设计)人：

千叶洋一

申请人：

东曹株式会社

申请人地址：

日本国山口县

IPC主分类号：

C23C16/42

IPC分类号：

B32B7/022 B32B9/00 C07F7/18 H01L21/316

代理机构：

北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444

代理人：

孙明;龚敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-25	公开	公开
2024-11-12	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/42申请日:20230713

共 50 条

[1]

氧化硅膜、阻气膜用材料及氧化硅膜的制造方法 [P].

杉本俊 ;

千叶洋一 ;

田中陵二 ;

布川真理奈 .

日本专利 :CN113785085B ,2025-08-26

[2]

氧化硅膜、阻气膜用材料及氧化硅膜的制造方法 [P].

杉本俊 ;

千叶洋一 ;

田中陵二 ;

布川真理奈 .

中国专利 :CN113785085A ,2021-12-10

[3]

氧化硅膜的制造方法 [P].

田村辰也 ;

熊谷武司 ;

千叶贵司 .

中国专利 :CN104451599A ,2015-03-25

[4]

氧化硅膜的形成方法和氧化硅膜的形成装置 [P].

冈田充弘 .

中国专利 :CN104934299A ,2015-09-23

[5]

氧化硅膜和氮化硅膜的表面处理方法 [P].

卢朋 ;

李松举 ;

祝汉泉 ;

谢志生 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN108346572A ,2018-07-31

[6]

氧化硅膜的形成方法及氧化硅膜的形成装置 [P].

大部智行 ;

黑川昌毅 .

中国专利 :CN103531462A ,2014-01-22

[7]

氧化硅膜的形成方法、氧化硅膜、半导体器件、以及半导体器件的制造方法 [P].

上田博一 ;

田中义伸 ;

大泽佑介 ;

野沢俊久 ;

松冈孝明 .

中国专利 :CN102027580A ,2011-04-20

[8]

形成氧化硅膜的方法和装置 [P].

高京硕 ;

岛裕巳 ;

木镰英司 ;

菱屋晋吾 .

中国专利 :CN109509698A ,2019-03-22

[9]

气体阻隔膜、气体阻隔性膜、气体阻隔膜的制造方法、及气体阻隔性膜的制造方法 [P].

森孝博 .

中国专利 :CN110418859A ,2019-11-05

[10]

生产氢化碳氧化硅膜的方法 [P].

M·J·罗伯达 ;

B·K·黄 .

中国专利 :CN100416776C ,2006-03-29

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