用于单晶硅衬底抛光的高纯硅溶胶及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411106184.X

申请日：

2024-08-13

公开(公告)号：

CN118877901A

公开(公告)日：

2024-11-01

发明(设计)人：

刘胥冠王鑫李浩杰张消军陈斌

申请人：

中机半导体材料（深圳）有限公司

申请人地址：

518000 广东省深圳市宝安区福海街道桥头社区万延工业区第六栋101

IPC主分类号：

C01B33/14

IPC分类号：

C01B33/148 B82Y40/00 H01L21/304 C09G1/02

代理机构：

深圳汉林汇融知识产权代理事务所(普通合伙) 44850

代理人：

胡德福

法律状态：

公开

国省代码：

广东省深圳市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-01	公开	公开
2024-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01B 33/14申请日:20240813

共 50 条

[1]

一种用于单晶硅衬底抛光的高纯硅溶胶生产装置 [P].

王鑫 ;

胡佳铭 ;

李嘉春 ;

陈斌 .

中国专利 :CN118079834A ,2024-05-28

[2]

用于碳化硅衬底抛光的高纯硅溶胶及其制备方法 [P].

王鑫 ;

胡佳明 ;

刘胥冠 ;

陈斌 .

中国专利 :CN119118139A ,2024-12-13

[3]

用于碳化硅衬底抛光的高纯硅溶胶及其制备方法 [P].

王鑫 ;

胡佳明 ;

刘胥冠 ;

陈斌 .

中国专利 :CN119118139B ,2025-09-26

[4]

一种高纯硅溶胶的制备方法和应用 [P].

陶琴 ;

姜鉴哲 ;

哈尼 ;

张琳 ;

刘勇杰 .

中国专利 :CN119706853A ,2025-03-28

[5]

一种高纯硅溶胶的制备方法和应用 [P].

陶琴 ;

姜鉴哲 ;

哈尼 ;

张琳 ;

刘勇杰 .

中国专利 :CN119706853B ,2025-05-02

[6]

一种普通硅溶胶经纯化制备高纯硅溶胶的方法及高纯硅溶胶 [P].

刘焘 ;

马吉全 .

中国专利 :CN119822379A ,2025-04-15

[7]

硅溶胶及其制备方法 [P].

于浩 ;

张杰 ;

贺小进 ;

谭金枚 .

中国专利 :CN110217799A ,2019-09-10

[8]

一种高纯硅溶胶的制备方法及由该制备方法制得的硅溶胶 [P].

王国顺 ;

李薇薇 ;

范渊卿 ;

梁裕辉 .

中国专利 :CN111334255A ,2020-06-26

[9]

高纯硅溶胶的制备方法及其制品 [P].

康立明 ;

康利彬 ;

范渊卿 ;

杨捷 .

中国专利 :CN114195153A ,2022-03-18

[10]

一种高纯硅溶胶的纯化方法 [P].

顾忠华 ;

高源 ;

龚桦 ;

邹春莉 ;

潘国顺 .

中国专利 :CN102583406A ,2012-07-18

← 1 2 3 4 5 →