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用于碳化硅衬底抛光的高纯硅溶胶及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411298466.4
申请日：
2024-09-18
公开(公告)号：
CN119118139B
公开(公告)日：
2025-09-26
发明(设计)人：
王鑫 胡佳明 刘胥冠 陈斌
申请人：
深圳中机新材料有限公司
申请人地址：
518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区粤兴三道8号中国地质大学产学研基地中地大楼C601
IPC主分类号：
C01B33/141
IPC分类号：
C01B33/148 B82Y40/00 C09G1/02
代理机构：
深圳汉林汇融知识产权代理事务所(普通合伙) 44850
代理人：
胡德福
法律状态：
授权
国省代码：
广东省 深圳市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-09-26 授权 授权
2024-12-13 公开 公开
2024-12-31 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C01B 33/141申请日:20240918
共 50 条
[1]
用于碳化硅衬底抛光的高纯硅溶胶及其制备方法 [P]. 
王鑫 ;
胡佳明 ;
刘胥冠 ;
陈斌 .
中国专利 :CN119118139A ,2024-12-13
[2]
用于单晶硅衬底抛光的高纯硅溶胶及其制备方法 [P]. 
刘胥冠 ;
王鑫 ;
李浩杰 ;
张消军 ;
陈斌 .
中国专利 :CN118877901A ,2024-11-01
[3]
碳化硅衬底及碳化硅衬底制备方法 [P]. 
欧阳鹏根 ;
刘小琴 ;
盛永江 ;
杨水淼 ;
陈彦宇 ;
杨华 .
中国专利 :CN120193333B ,2025-10-10
[4]
碳化硅衬底及碳化硅衬底制备方法 [P]. 
欧阳鹏根 ;
刘小琴 ;
盛永江 ;
杨水淼 ;
陈彦宇 ;
杨华 .
中国专利 :CN120193333A ,2025-06-24
[5]
碳化硅衬底抛光用砂轮及其制备方法 [P]. 
王礼华 ;
张高亮 ;
赵延军 ;
钱灌文 ;
曹剑锋 ;
左冬华 ;
孙冠男 .
中国专利 :CN113400206B ,2021-09-17
[6]
用于制造碳化硅衬底的方法以及碳化硅衬底 [P]. 
木下博之 ;
须田淳 ;
木本恒畅 .
中国专利 :CN101536157B ,2009-09-16
[7]
多晶碳化硅衬底抛光剂、抛光方法及多晶碳化硅衬底 [P]. 
郭超 ;
母文凤 .
中国专利 :CN117304814B ,2024-03-12
[8]
多晶碳化硅承载衬底、键合碳化硅衬底及其制备方法 [P]. 
柴利林 .
中国专利 :CN119956334A ,2025-05-09
[9]
碳化硅衬底和用于制造所述碳化硅衬底的方法 [P]. 
冲田恭子 .
中国专利 :CN106796877B ,2017-05-31
[10]
多晶碳化硅承载衬底、键合碳化硅衬底及其制备方法 [P]. 
柴利林 .
中国专利 :CN119956333A ,2025-05-09
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